STD30NE06LT4

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否还在为寻找一款既能承载高功率又能保持低温升的MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STD30NE06LT4。这款来自意法半导体STripFET家族的明星产品，以其高达30A的连续漏极电流和仅28毫欧的超低导通电阻，重新定义了60V应用场景下的性能标杆。它不仅意味着更低的传导损耗，更代表着系统整体效率的显著提升和散热设计的极大简化。

想象一下，在您的电动工具、DC-DC转换器或电机驱动电路中，STD30NE06LT4正以其强悍的性能稳定运行。其5V的低栅极驱动电压，让它可以轻松兼容多种控制逻辑，简化了驱动电路的设计。在电池供电设备中，更低的功耗直接转化为更长的续航时间；在工业电源中，高效的开关性能意味着更小的体积和更高的可靠性。无论是应对瞬间的高电流冲击，还是在持续满载的严苛环境下，它都能游刃有余，确保您的产品动力澎湃且持久耐用。

选择STD30NE06LT4，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保障。其DPAK封装兼顾了功率密度与焊接工艺的成熟性，表面贴装设计适应自动化生产，助力您快速实现产品量产。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST代理商渠道，您依然可以获得稳定可靠的货源，为现有产品设计提供延续性支持，或用于特定批次的备货生产。这颗芯片的价值，不仅在于其优异的电气参数，更在于它能够嵌入您的核心产品中，成为提升市场竞争力的隐形引擎。让它为您的下一个设计注入高效、可靠的动力源泉。

• 型号:STD30NE06LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:55W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD30NE06LT4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能轻松驾驭中高功率开关任务的“核心引擎”吗？STD30NE06LT4正是这样一款为您而生的N沟道MOSFET。它基于意法半导体先进的STripFET技术打造，拥有60V的漏源电压和高达30A的连续电流处理能力，让您在电机驱动、电源转换等应用中，能够高效、可靠地控制功率流。

这颗芯片的核心魅力在于其极低的导通电阻（仅28毫欧@10V），这意味着在导通状态下，它的能量损耗微乎其微，能显著提升您的系统整体效率，并有效降低温升。同时，它具备5V的低阈值驱动电压和快速的开关特性，让您的控制电路设计更为简洁，响应更加迅捷。选择它，就是为您的产品选择了强劲的动力与持久的能效。