STD35NF06LT4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD35NF06LT4技术参数详情：

在追求极致能效的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭高达35A电流与60V电压，却将导通电阻牢牢控制在17毫欧以下的功率开关，将为您的设计带来怎样的性能飞跃与成本优化？答案就在STD35NF06LT4之中。

这款来自ST意法半导体STripFET II家族的N沟道MOSFET，绝非普通的功率器件。它凭借先进的工艺技术，实现了极低的Rds(on)与栅极电荷(Qg)，这意味着在频繁开关的应用中，它能显著降低导通损耗和开关损耗，让电能更高效地传递，而非浪费在发热上。高达80W的功率耗散能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，赋予了它卓越的可靠性与环境适应性，无论是面对严苛的工业环境还是紧凑的消费电子设备内部，都能稳定输出强劲动力。

当我们将目光投向实际应用，STD35NF06LT4的身影无处不在。它正是DC-DC转换器中同步整流的理想选择，能有效提升笔记本适配器、服务器电源的转换效率；在电动工具、无人机电调或小型工业电机驱动中，它提供强劲而可控的电流输出，确保电机启动迅速、运行平稳；同时，它也适用于各类需要高效功率开关的领域，如汽车照明控制、电池保护电路等。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心基因。

那么，在众多功率MOSFET中，为何最终锁定STD35NF06LT4？这不仅源于其优异的性能参数平衡在35A的电流能力下保持超低导通电阻，更在于它背后ST品牌的质量保障与持续供应能力。其表面贴装DPAK封装兼顾了功率处理能力与自动化生产需求，能帮助您优化PCB布局，提升生产效率。若您正在寻找稳定可靠的货源，我们作为专业的ST一级代理，不仅能提供正品保障与有竞争力的价格，更能为您带来及时的技术支持与供货服务，让您的产品从设计到量产一路畅通。

型号:STD35NF06LT4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 17.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1700 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:80W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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您是否正在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关核心？STD35NF06LT4正是为您而来的解决方案。这颗ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有60V耐压和高达35A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的17毫欧导通电阻（典型值），能显著减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的STripFET II技术，栅极电荷(Qg)低至33nC，这意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）和DPAK封装，确保了它在严苛环境下的稳定性和易于生产的特性。选择它，就是为您的产品选择了强劲的动力、出色的能效和可靠的品质基石。