STD36NH02L

在追求极致效率的电源管理设计中，您是否曾为寻找一款能在紧凑空间内稳定输出大电流、同时保持低温升的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STD36NH02L。这款来自意法半导体STripFET III家族的N沟道MOSFET，以其24V的耐压和高达30A的连续漏极电流能力，重新定义了中低压、大电流应用的性能标杆。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品可靠性、延长使用寿命并优化整体成本的关键拼图。

想象一下，在您的同步整流电路、电机驱动模块或高密度DC-DC转换器中，STD36NH02L正发挥着核心作用。其低至14.5毫欧的导通电阻（在10V Vgs，15A条件下），意味着在传导大电流时，能量损耗被降至极低，显著减少了发热量，让您的系统运行更凉爽、更持久。无论是服务器电源、电动工具、汽车辅助系统，还是便携式设备的负载开关，这颗芯片都能游刃有余地应对频繁开关和高负载的挑战。其宽广的-55°C至175°C结温工作范围，确保了在严苛环境下依然稳定如一，为您的产品注入全天候的可靠基因。

选择STD36NH02L，就是选择了一份经过时间淬炼的信任。它采用了成熟的DPAK表面贴装封装，易于焊接和自动化生产，能有效节省您的PCB空间和组装成本。尽管该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用基础，使其成为特定存量项目升级或寻找高性价比替代方案的绝佳选择。通过专业的ST代理商，您依然可以获取可靠的货源和全面的技术支持，确保您的供应链平稳过渡与项目成功。让这颗凝聚了ST先进STripFET III技术的功率器件，成为您打造高效、紧凑、可靠下一代产品的强大助力。

• 型号:STD36NH02L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.5 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:860 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD36NH02L，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为功率转换效率难以突破而困扰吗？STD36NH02L N沟道MOSFET正是为您破解这一难题而生。它基于意法半导体先进的STripFET III技术，能为您提供高达30A的连续电流处理能力和低至14.5毫欧的优异导通电阻，核心使命就是大幅降低开关和传导损耗。

这颗芯片能让您的设计轻松实现高效的能量管理。其5V/10V的优化驱动电压和极低的栅极电荷，确保了快速、干净的开关动作，显著提升系统响应速度并减少开关噪声。无论是用于同步整流提升电源效率，还是作为电机驱动的核心开关，它都能让您的设备运行更凉爽、更持久，直接将高性能与高可靠性转化为您的产品竞争力。