STD38NH02LT4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD38NH02LT4技术参数详情：

在追求极致效率的电源管理设计中，您是否曾为寻找一款能在紧凑空间内承载大电流、同时保持低温高效运行的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来的STD38NH02LT4，正是意法半导体STripFET III系列中的一颗明星产品，它用24V的耐压和高达38A的连续漏极电流能力，重新定义了中低压领域功率密度的可能性。其核心魅力在于那低至13.5毫欧的导通电阻，这意味着在相同的电流下，它能将更多的能量用于驱动负载，而非转化为令人头疼的热量，让您的系统从根源上更冷静、更可靠。

想象一下，在那些对空间和散热都极为苛刻的应用场景中，比如高密度DC-DC转换模块、电机驱动控制板或是便携式设备的电池保护电路，STD38NH02LT4都能大显身手。它卓越的开关特性，得益于仅24nC的低栅极电荷和优化的内部结构，能够显著降低开关损耗，提升整体转换效率。无论是应对频繁启停的电机脉冲，还是需要在宽温范围（-55°C至175°C）内稳定工作的严苛环境，这颗MOSFET都展现出了强大的适应性和耐久性。其表面贴装的DPAK封装，不仅节省了宝贵的PCB面积，更便于自动化生产，加速您的产品上市流程。

选择STD38NH02LT4，不仅仅是选择了一个高性能的电子元件，更是选择了一个经过市场验证的可靠解决方案。它继承了意法半导体在功率半导体领域数十年的技术积淀，STripFET III技术确保了性能与可靠性的完美平衡。虽然该型号目前已处于停产状态，但通过正规的ST授权代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持，确保项目供应链的稳定与安全。让这颗曾助力无数创新产品的芯片，为您的下一个设计注入强劲而高效的动力，简化您的设计挑战，成就更卓越的产品性能。

型号:STD38NH02LT4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 24V 38A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:24 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13.5 毫欧 @ 19A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1070 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:40W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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您正在寻找一颗能轻松驾驭大电流开关任务的N沟道MOSFET吗？STD38NH02LT4正是为您而来。它基于意法半导体先进的STripFET III技术，在仅24V的漏源电压下，能持续通过高达38A的电流，而其导通电阻最低可达13.5毫欧，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片拥有极低的栅极电荷（24nC @10V）和输入电容，这意味着它能实现快速、干净的开关动作，大幅提升系统频率和响应速度。其宽广的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和40W的功率耗散能力，赋予了它应对各种严苛环境挑战的底气。采用标准的DPAK表面贴装封装，让您能轻松集成到高密度的PCB设计中，是实现紧凑、高效功率管理的理想选择。