STD3N40K3

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源转换方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够显著降低导通电阻、提升开关频率的功率MOSFET，将如何为您的产品注入新的活力。这正是STD3N40K3诞生的使命它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的关键引擎。基于意法半导体引以为傲的SuperMESH3技术，这颗芯片在400V的电压等级下，实现了极低的导通电阻，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，让您的系统运行得更凉爽、更持久。

无论是家用电器中的辅助电源、LED照明驱动，还是工业领域的电机控制和小功率开关电源，STD3N40K3都能游刃有余地扮演核心开关角色。其2A的连续漏极电流和高达30W的功率处理能力，完美适配那些对空间和效率有严苛要求的应用场景。当您设计下一款充电器适配器或智能家居控制器时，选择它就意味着选择了更小的体积、更高的可靠性和更长的使用寿命。其表面贴装DPAK封装，也为自动化生产带来了便利，加速您的产品上市进程。

那么，在众多同类产品中，为何独独青睐STD3N40K3？答案在于它带来的综合价值远超一个简单的参数表。极低的栅极电荷（仅11nC）意味着它能够被快速驱动，轻松实现高频开关，从而允许您使用更小的磁性元件，进一步优化BOM成本和PCB面积。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种恶劣环境下依然稳定如山。选择它，就是选择了一个经过市场验证的、由全球半导体巨头ST意法半导体提供的优质解决方案。若您正在寻找可靠的技术支持和供货渠道，我们的合作伙伴专业的ST中国代理团队，将为您提供从选型到量产的全方位服务，让创新之路畅通无阻。

• 型号:STD3N40K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 400V 2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.4 欧姆 @ 900mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:165 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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您是否正在寻找一颗能同时兼顾高效能与高可靠性的高压开关管？STD3N40K3正是为您而来。这颗来自ST意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，拥有400V的耐压和2A的电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻（Rds(on)），能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的电源设计效率更高，发热更少。

它能让您轻松应对反激式转换器、功率因数校正（PFC）以及电机驱动等应用中的高频开关挑战。得益于优化的栅极电荷特性，您可以实现更快的开关速度，从而使用更小的滤波元件，简化设计并降低成本。其坚固的DPAK封装和宽广的工作温度范围，确保了在各种应用环境中都能稳定运行，是您打造高效、紧凑、可靠电力电子产品的理想选择。