STD3NK50Z-1

当您需要一款能在高压环境中稳定工作、同时兼顾成本效益的功率开关解决方案时，是否常常感到选择困难？现在，答案变得前所未有的清晰。我们隆重向您推荐意法半导体SuperMESH家族中的明星产品STD3NK50Z-1。这款N沟道MOSFET以其高达500V的漏源电压和2.3A的连续漏极电流，为您的高压应用筑起了一道坚固的性能防线。它不仅仅是一个元件，更是您提升系统可靠性、优化整体设计效率的关键拼图。

想象一下，在开关电源、照明镇流器或电机控制等高压应用场景中，系统需要稳定、高效地处理能量转换。STD3NK50Z-1正是为此而生。其SuperMESH技术带来了极低的导通电阻（典型值仅3.3欧姆），这意味着更低的传导损耗和发热量，直接提升了您的电源转换效率，让设备运行更凉爽、更持久。无论是工业自动化设备中的辅助电源，还是消费类电子产品的适配器，这颗芯片都能轻松应对，确保您的产品在激烈的市场竞争中凭借出色的能效表现脱颖而出。

选择STD3NK50Z-1，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与成熟技术积淀。它采用经典的I-PAK通孔封装，便于焊接和散热，宽达-55°C至150°C的工作结温范围，赋予了产品卓越的环境适应性和鲁棒性。虽然该型号已进入停产状态，但通过我们官方授权的ST一级代理，您依然可以获得稳定可靠的货源和全面的技术支持，确保您的生产计划顺利进行，并为现有产品提供长期的维护保障。让我们携手，用这颗经过市场验证的经典芯片，为您的下一个成功项目注入强大动力。

• 型号:STD3NK50Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 2.3A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 欧姆 @ 1.15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 现在可以订购STD3NK50Z-1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压电路中的开关损耗和散热问题烦恼吗？STD3NK50Z-1正是为您排忧解难的得力助手。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有500V的高耐压和2.3A的电流处理能力，专为要求苛刻的功率开关应用而设计。

它采用先进的SuperMESH技术，能显著降低导通电阻，从而减少功率损耗，让您的电源设计更高效、更节能。无论是用于开关电源、照明驱动还是电机控制，它都能让您轻松实现稳定可靠的性能。其坚固的I-PAK封装和宽泛的工作温度范围，确保了在各种环境下的长期耐用性，是您构建高品质电力电子系统的理想选择。