STD3NK50ZT4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD3NK50ZT4技术参数详情：

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为高压开关器件的选择而反复权衡？今天，我们为您带来一个集高性能与高性价比于一身的卓越答案STD3NK50ZT4。这款来自意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，以其500V的卓越耐压能力和仅为3.3欧姆的低导通电阻，为您的高压应用注入强劲而稳定的动力核心。它不仅是一个元器件，更是您提升产品竞争力、降低系统损耗的关键一步。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是照明镇流器中，STD3NK50ZT4正以其出色的开关特性和高达45W的功率处理能力，确保能量转换过程既快速又平滑。其极低的栅极电荷（仅15nC）和输入电容，意味着驱动更轻松，开关损耗显著降低，让您的系统在高效运行的同时，发热更少，寿命更长。无论是工业电机驱动、家用电器还是LED驱动，这颗芯片都能在严苛的-55°C至150°C结温范围内稳定工作，成为您应对复杂环境挑战的可靠伙伴。

选择STD3NK50ZT4，就是选择了一份由尖端技术背书的价值承诺。SuperMESH技术确保了其在高压下依然保持超低的导通损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的运营成本。其采用坚固的DPAK表面贴装封装，不仅节省宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，提升您的制造效率。当您需要可靠的原厂正品与专业的技术支持时，我们的合作伙伴专业的ST代理商随时准备为您提供从选型到量产的全方位服务。让STD3NK50ZT4成为您下一个成功设计的基石，开启高效、可靠的能量管理新篇章。

型号:STD3NK50ZT4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 欧姆 @ 1.15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:45W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务的核心器件吗？STD3NK50ZT4正是为您而来的解决方案。它集成了意法半导体先进的SuperMESH技术，为您提供高达500V的漏源电压和2.3A的连续电流能力，让您的电源转换或电机驱动设计在面对高压时游刃有余。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的效率。它拥有极低的导通电阻（典型值3.3欧姆）和栅极电荷，能显著降低开关过程中的导通损耗和驱动损耗，从而让您的系统运行更凉爽、更节能。其坚固的DPAK封装和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保了在各种应用环境下的长期稳定性和可靠性，是您打造高效、耐用产品的理想选择。