STD3NK80ZT4

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时又要严格控制成本和尺寸时，您是否曾为寻找一颗可靠的功率开关而烦恼？现在，答案就在STD3NK80ZT4。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其高达800V的漏源电压和SuperMESH技术的卓越基因，为您的高压应用注入前所未有的可靠性与效率。它不仅是一个元件，更是您产品在激烈市场竞争中脱颖而出的能量核心。

想象一下，在开关电源、照明镇流器或工业电机驱动的核心电路中，STD3NK80ZT4正以其低至4.5欧姆的导通电阻和优化的栅极电荷，悄无声息地工作着。它大幅降低了导通损耗和开关损耗，这意味着您的设备能效更高，发热更少，寿命更长。无论是面对严苛的工业环境温度，还是需要紧凑的PCB布局，其DPAK封装和70W的功率处理能力都能轻松应对，让您的设计游刃有余。

选择它，就是选择了一份源自ST尖端技术的保障。其卓越的电压耐受性和稳定的2.5A连续电流能力，为反激式转换器、PFC电路等关键拓扑提供了坚实的基石。更低的功耗直接转化为更凉爽的运行温度和更高的系统可靠性，最终为您节省系统散热成本和维护开销。当您通过值得信赖的ST代理获取这颗芯片时，您获得的不仅是产品，更是从技术支援到稳定供应链的全方位支持。让STD3NK80ZT4成为您下一个成功设计的强大心脏，开启高效节能的新篇章。

• 型号:STD3NK80ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD3NK80ZT4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

在追求极致能效的今天，一颗优秀的功率MOSFET能带来多大改变？STD3NK80ZT4就是为您解答的利器。它基于ST先进的SuperMESH技术，专为高压开关应用而生，其800V的坚固耐压和出色的动态特性，让您轻松构建高效、可靠的电源系统。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的设计在高压下依然保持低损耗运行。极低的导通电阻和栅极电荷意味着更少的能量浪费为热量，更高的整体转换效率。无论是用于开关电源、LED驱动还是电机控制，它都能帮助您提升产品性能，同时简化热管理设计，让您的产品在能效和可靠性上赢得关键优势。