STD40NF03LT4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD40NF03LT4技术参数详情：

在追求极致能效的今天，您的电源管理系统是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能在高电流下保持超低导通电阻的MOSFET，将如何彻底改变您的设计。现在，答案就在STD40NF03LT4。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其STripFET II技术的卓越基因，将40A的连续电流承载能力与低至11毫欧的导通电阻完美结合，为您带来前所未有的高效与可靠。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具中需要瞬间爆发大电流的电机驱动，甚至是汽车辅助系统中对空间和效率都极为敏感的应用，STD40NF03LT4都能游刃有余。它那高达80W的功率处理能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，意味着它能在各种恶劣环境下稳定运行，让您的产品无惧挑战。当您需要构建紧凑而强健的电路时，其表面贴装的DPAK封装提供了优异的散热性能和便捷的装配工艺。

选择STD40NF03LT4，不仅仅是选择了一颗高性能的半导体器件，更是选择了一种面向未来的设计哲学。它极低的栅极电荷和输入电容，确保了快速的开关速度，从而显著降低开关损耗，提升整体系统效率。这意味着更长的电池续航、更小的散热器尺寸以及更低的系统总成本。如果您正在寻找值得信赖的供应渠道，我们作为专业的ST一级代理，不仅能确保原装正品和稳定供应，更能为您提供深度的技术支持和选型服务。让STD40NF03LT4成为您下一个成功产品的强大心脏，开启高效能源管理的新篇章。

型号:STD40NF03LT4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
包装:剪切带（CT）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 5 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:80W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为寻找一颗既能扛住大电流，又具备超高开关效率的“核心开关”而烦恼吗？STD40NF03LT4正是为您而来的解决方案。它基于先进的STripFET II技术，能够在30V的电压下轻松驾驭高达40A的连续电流，而其导通电阻在10V驱动时仅11毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的发热，直接让您的系统运行更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的DC-DC转换器实现更高的功率密度和转换效率，让您的电机驱动响应更迅捷、扭矩更充沛。其优化的栅极特性（Qg仅30nC @5V）确保了极快的开关速度，帮助您轻松突破频率瓶颈，同时其坚固的DPAK封装和宽温工作能力，为您的设计提供了坚实的可靠性保障。选择它，就是选择了一条通往高性能、高可靠性的捷径。