STD40NF3LLT4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD40NF3LLT4技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否曾为寻找一款能在紧凑空间内承载大电流、同时保持低温运行的功率开关而困扰？今天，我们为您带来的STD40NF3LLT4，正是意法半导体STripFET II系列中的一颗明星产品，它用仅11毫欧的超低导通电阻，重新定义了30V/40A级别MOSFET的性能标杆。这颗芯片不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键钥匙。

想象一下，在您的同步整流电路、电机驱动模块或高密度DC-DC转换器中，STD40NF3LLT4能够轻松驾驭高达40A的连续电流。其卓越的开关特性与极低的栅极电荷，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统整体效率显著跃升。无论是服务器电源、电动工具还是汽车辅助系统，它都能在-55°C至175°C的严苛温度范围内稳定工作，确保终端产品在各种环境下都拥有可靠的性能表现。选择它，就是为您的应用注入了高效与稳定的双重保障。

为何众多工程师在面临关键选型时，会青睐这款产品？答案在于其带来的综合价值远超一个简单的参数表。DPAK封装提供了优异的散热能力和便于生产的表面贴装工艺，而STripFET II技术则确保了在相同尺寸下更优的功率密度。虽然该型号已停产，但通过可靠的ST一级代理渠道，您依然可以获得稳定优质的货源，用于维护现有产品线或开发周期较长的项目。它代表了一个经过市场长期验证的成熟解决方案，其性能与可靠性已无需多言。投资STD40NF3LLT4，就是选择了一份经过时间淬炼的信任，让您的设计在效率、尺寸与成本之间找到完美的平衡点，最终赢得市场的青睐。

型号:STD40NF3LLT4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1650 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:80W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
现在可以订购STD40NF3LLT4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为功率转换的损耗和发热头疼吗？让STD40NF3LLT4来为您解决！这颗N沟道MOSFET拥有30V的耐压和高达40A的电流承载能力，其核心魅力在于仅11毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的系统效率，并让热管理变得更为轻松。

得益于意法半导体的STripFET II技术，它在4.5V的低驱动电压下即可实现优异性能，栅极电荷低至33nC，这意味着它能实现快速、干净的开关动作，让您的电机驱动、电源同步整流或负载开关电路运行得更快、更冷、更高效。DPAK封装兼顾了功率耗散与PCB空间占用，是您打造紧凑、高性能功率模块的理想选择。