STD45N10F7

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为功率转换的损耗与发热问题而烦恼？想象一下，一款能够将导通电阻降至极低水平，同时保持出色开关性能的功率MOSFET，将如何彻底改变您的电源设计。今天，我们向您隆重介绍意法半导体的卓越解决方案STD45N10F7，这颗基于先进STripFET VII技术的N沟道MOSFET，正是为高效、可靠的功率管理而生。

当您面对服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器时，STD45N10F7的价值将展露无遗。其100V的漏源电压和高达45A的连续漏极电流能力，为系统提供了坚实的功率基础。更令人振奋的是，在10V驱动电压下，其导通电阻（RdsOn）最大值仅为18毫欧，这意味着在传导过程中的能量损耗被大幅削减，直接转化为更低的温升和更高的整体效率。无论是驱动一台精密的工业设备，还是为数据中心的关键负载供电，它都能确保能量以最“冷静”的方式高效流动。

选择STD45N10F7，您选择的不仅仅是一个元件，更是一套经过市场验证的高可靠性方案。其采用的DeepGATE技术确保了卓越的栅极控制与稳健性，而低至25nC的栅极电荷（Qg）则显著降低了开关损耗，让高频开关应用变得游刃有余。宽广的-55°C至175°C结温工作范围，使其能够从容应对各种严苛环境。当您通过值得信赖的ST授权代理获取这颗芯片时，您同时获得了原厂品质保证、稳定的供货链以及专业的技术支持，让您的产品从设计之初就赢在起跑线上。让STD45N10F7成为您下一个爆款产品的强大“心脏”，释放前所未有的功率密度与能效表现。

• 型号:STD45N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 45A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1640 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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您正在寻找一颗能扛起高电流重任，同时保持超低损耗的功率开关吗？STD45N10F7正是您的理想之选！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和45A的强大电流处理能力，专为 demanding 应用而设计。

它的核心魅力在于其极低的导通电阻，在10V驱动下典型值仅为18毫欧，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。结合其优化的栅极电荷和快速的开关特性，STD45N10F7让您轻松实现更高的功率密度和更优的系统效率，是升级现有设计或打造新一代高性能设备的可靠基石。