STD46N6F7

在追求更高能效和更紧凑设计的道路上，您是否正在为电源转换或电机驱动方案寻找一颗性能与成本完美平衡的功率开关？STD46N6F7的到来，正是为了回应这一挑战。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的电气性能和坚固的可靠性，为您的产品注入强劲而高效的心脏。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计目标的得力伙伴。

想象一下，在您的DC-DC转换器中，它能够以极低的导通电阻（仅14毫欧）处理高达15A的连续电流，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，系统整体效率显著提升，设备运行更凉爽、更持久。在电机驱动、电池保护或负载开关等应用中，其60V的漏源电压和快速的开关特性，确保了控制的精准与响应的迅捷。无论是工业自动化设备中的伺服驱动，还是消费电子中的智能电源管理，STD46N6F7都能游刃有余，帮助您构建更稳定、更可靠的系统。

选择STD46N6F7，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。它隶属于ST备受赞誉的STripFET系列，该系列以优异的开关性能和稳健性著称。其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）使其能够从容应对苛刻的环境挑战。尽管该型号已停产，但其成熟的设计和经过市场长期验证的可靠性，使其在诸多现有产品升级或特定需求设计中依然极具价值。为确保您获得正品保障与可靠供应，我们强烈建议您通过正规的ST授权代理进行采购，这不仅是产品品质的保证，更是项目顺利推进的坚实后盾。让这颗经典的功率器件，继续在您的创新设计中发挥关键作用。

• 型号:STD46N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 15A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1065 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD46N6F7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否希望为您的电源或电机控制应用找到一颗能大幅降低损耗、提升效率的核心开关？STD46N6F7正是您理想的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和15A的连续电流处理能力，其关键优势在于极低的导通电阻（典型值14毫欧），能显著减少导通状态下的功率损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。

得益于STripFET技术，它具备出色的开关性能和稳定性。无论是用于DC-DC转换器、电机驱动桥臂还是负载开关，STD46N6F7都能让您轻松实现紧凑、可靠的电路设计，助力您的产品在性能和成本之间取得最佳平衡。