STD4N52K3

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案中，您是否曾为开关损耗和散热问题所困扰？现在，答案就在眼前。我们隆重推出STD4N52K3，这颗源自ST意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，正是为破解高压高效难题而生的利器。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现性能飞跃的关键引擎。

想象一下，在您的离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是照明镇流器中，STD4N52K3正以其高达525V的漏源电压和2.5A的连续漏极电流稳定工作。它卓越的开关特性，能将能量转换过程中的损耗降至更低，让系统运行得更冷静、更持久。无论是面对工业电机驱动中的苛刻环境，还是家用电器对可靠性的严苛要求，它都能游刃有余，成为您设计中值得信赖的“心脏”。选择可靠的ST代理合作伙伴，意味着您能获得从这颗芯片到完整解决方案的全方位支持。

为何众多工程师在面临高压应用选型时，会青睐于它？核心在于其带来的综合价值。SuperMESH3技术赋予了它极低的导通电阻（RdsOn），在10V驱动电压下仅2.6欧姆，这意味着更少的导通损耗和更高的整体效率。同时，极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）显著降低了开关损耗，让高频开关操作变得轻松高效，直接助力于电源尺寸的小型化和能效等级的提升。表面贴装的DPAK封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，其高达45W的功率耗散能力和150°C的结温，确保了在紧凑布局下的强大散热与长期可靠性。当您需要一颗能在高压下高效、可靠开关的“硬核”器件时，STD4N52K3就是那个能让您的设计脱颖而出、性能经得起时间考验的明智之选。

• 型号:STD4N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 2.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:334 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD4N52K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时保持高效与可靠的功率MOSFET吗？STD4N52K3正是为您而来。这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有525V的高耐压和2.5A的电流能力，专为要求苛刻的电源转换应用而优化。

它能让您的电源设计事半功倍。极低的导通电阻和栅极电荷，大幅降低了开关损耗和导通损耗，从而提升整体能效，让设备运行更凉爽。其坚固的DPAK封装和高达150°C的工作结温，确保了在紧凑空间内的卓越散热与长期稳定运行。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。