STD4N62K3

您是否正在寻找一款能在高电压应用中稳定可靠、同时又能帮助您优化系统效率与成本的功率开关解决方案？今天，我们为您带来的STD4N62K3，正是这样一颗能够完美平衡性能与价值的N沟道MOSFET。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计目标的关键伙伴。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器设计中，一颗MOSFET需要承受高达620V的电压，同时还要保证快速、高效的开关动作。STD4N62K3正是为此而生。它采用了意法半导体引以为傲的SuperMESH3技术，这项技术意味着在相同的封装尺寸下，它能实现更低的导通电阻和更优的开关性能。具体来说，在10V驱动电压下，其导通电阻最大值仅为1.95欧姆，而栅极电荷（Qg）低至14nC。这直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，让您的系统运行更“冷静”，整体能效显著提升，热量管理也变得前所未有的轻松。

这颗芯片的应用场景极为广泛。无论是家用电器中的辅助电源、工业自动化设备中的控制模块，还是LED驱动和适配器，STD4N62K3都能凭借其620V的漏源电压和3.8A的连续漏极电流能力，提供坚实可靠的功率开关核心。其表面贴装DPAK封装，非常适合现代高密度PCB设计，有助于缩小产品体积。高达150°C的结温工作范围，更是赋予了它卓越的环境适应性和长期可靠性，让您的产品在各种严苛条件下都能稳定运行，减少售后维护的烦恼。

选择STD4N62K3，就是选择了一份来自全球半导体巨头ST意法半导体的品质承诺。它“有源”的产品状态保证了长期稳定的供应。更重要的是，通过与值得信赖的ST代理合作，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，还能享受到专业的技术支持与快捷的供货服务，让您的项目从研发到量产一路畅通。现在就为您的下一个设计注入高效与可靠的基因吧！

• 型号:STD4N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.95 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD4N62K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您是否希望找到一颗能“以一当十”的功率开关？STD4N62K3正是这样一款为您量身打造的解决方案。它基于先进的SuperMESH3技术，核心使命就是让您的电源转换或电机控制应用运行得更高效、更可靠。

这颗N沟道MOSFET拥有620V的高耐压和3.8A的电流处理能力，能轻松应对开关电源、照明驱动等场景中的高压挑战。其关键优势在于极低的导通电阻（1.95Ω @10V）和栅极电荷（14nC），这意味着它能显著降低导通与开关过程中的能量损耗，直接提升您的系统整体效率，并简化散热设计。采用DPAK表面贴装封装，让您能更灵活地进行PCB布局，实现产品的小型化。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能核心。