STD4N90K5

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为高压开关器件的选择而反复权衡？当900V的漏源电压与仅2.1欧姆的低导通电阻相遇，一个兼顾性能与成本效益的答案便呼之欲出这正是STD4N90K5为您带来的核心价值。作为ST意法半导体MDmesh系列中的明星成员，它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您构建高效、紧凑、稳定电源系统的坚实基石。其高达3A的连续漏极电流与60W的强大功率处理能力，意味着在苛刻的工业环境中，它依然能游刃有余，将能量损耗降至最低，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的能效表现脱颖而出。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动、照明镇流器或工业电源模块中，STD4N90K5正扮演着能量高效转换的关键角色。其极低的栅极电荷（仅5.3nC）和输入电容，确保了快速的开关速度，显著降低了开关损耗，这对于提升高频开关电源的整体效率至关重要。无论是面对功率因数校正（PFC）电路中的高压切换，还是需要在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，这颗芯片都能提供令人放心的性能一致性。选择它，就是为您的应用注入一颗强劲而可靠的“心脏”，确保系统长期稳定运行，减少维护烦恼。

为何众多工程师在高压MOSFET选型时，会倾向于STD4N90K5？答案在于ST意法半导体深厚的工艺积淀与MDmesh技术的完美结合。这项技术优化了单元结构，在保持高击穿电压的同时，大幅降低了导通电阻，直接转化为更低的传导损耗和更小的发热量。其DPAK表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，便于自动化生产，还提供了优异的散热性能。当您需要可靠的原厂品质与稳定的供货保障时，选择一家资深的ST芯片代理合作伙伴至关重要，他们能为您提供从选型支持到供应链服务的全方位价值。让STD4N90K5成为您下一个成功设计的强大引擎，开启高效节能的新篇章。

• 型号:STD4N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:173 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时保持高效与可靠的核心器件吗？STD4N90K5正是为您而来。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有高达900V的击穿电压和仅2.1欧姆的低导通电阻，让您的电源设计在应对高压环境时游刃有余，显著降低能量损耗，提升整体系统效率。

它基于先进的MDmesh技术，具备极低的栅极电荷和快速的开关特性，能有效减少开关损耗，特别适用于开关电源、电机控制等高频应用。其DPAK封装兼顾了功率处理能力与紧凑的板级空间占用，配合-55°C至150°C的宽工作温度范围，确保您的产品在各种严苛环境下都能稳定运行，让您设计更省心，产品更具竞争力。