STD4NK50Z-1

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否还在为开关损耗和系统稳定性而反复权衡？现在，一个经过市场验证的成熟解决方案正静待您的发现STD4NK50Z-1。这颗源自ST意法半导体SuperMESH家族的N沟道功率MOSFET，以其卓越的500V耐压和优化的动态特性，早已成为众多工程师心中高效开关应用的经典之选。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品性能、降低整体系统成本的得力助手。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、照明镇流器或是电机驱动控制板中，STD4NK50Z-1正稳健地工作着。其2.7欧姆的低导通电阻（在10V驱动下），意味着更低的传导损耗，电能得以更高效地传递，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。无论是面对频繁启停的电机，还是需要精密调光的LED驱动，它都能提供快速、干净的开关动作，确保您的设计响应敏捷，运行平稳。其坚固的I-PAK封装和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，更是为产品在各种严苛环境下长期可靠运行提供了坚实保障。

选择STD4NK50Z-1，就是选择一份经过时间淬炼的信任。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用口碑，使其在升级换代或特定存量项目设计中依然极具价值。它代表了ST在功率半导体领域深厚的技术积淀。对于希望获取这款经典器件或寻求相关技术支持的客户，可以通过专业的ST中国代理渠道进行咨询，他们能为您提供可靠的货源信息与专业的技术服务。让这颗经典芯片的余热，继续为您的创新产品注入稳定与高效的核心动力。

• 制造商产品型号：STD4NK50Z-1
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SuperMESH
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：310pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
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您正在寻找一颗能兼顾高耐压、低损耗与可靠性的功率开关吗？STD4NK50Z-1正是为您而来。这颗500V/3A的N沟道MOSFET，采用先进的SuperMESH技术，能显著降低导通电阻和栅极电荷，让您的电源或电机驱动设计轻松实现更高的开关频率和更优的能效表现。

它能让您高效管理功率流，减少热量产生，从而提升系统整体可靠性。其坚固的封装和宽工作温度范围，确保它在各种应用环境中都能稳定发挥，是您构建高效、耐用电力电子系统的理想基石。