STD4NK50ZT4

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭500V高压与3A电流，却将导通电阻和栅极电荷降至新低的功率开关，将如何彻底改变您的产品性能版图。这正是STD4NK50ZT4为您带来的核心价值。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体SuperMESH技术家族的杰出代表，专为应对苛刻的高压开关应用而生，旨在将效率提升至全新高度，让热量管理变得前所未有的轻松。

无论是您正在设计的离线式开关电源（SMPS）、LED驱动，还是各类工业级AC-DC转换器，这颗芯片都能游刃有余。其500V的漏源电压（Vdss）提供了充裕的电压裕度，确保在电网波动或感性负载下依然稳定可靠。而低至2.7欧姆的导通电阻（Rds(on)）与仅12nC的栅极电荷（Qg），共同构成了其高效能的基石。这意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。在功率密度要求极高的适配器、电视待机电源或小型家电中，其DPAK封装实现了性能与占板面积的完美平衡，让您的设计在竞争中脱颖而出。

选择STD4NK50ZT4，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与卓越性能。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种环境下的稳定运行。虽然该型号已不适用于全新设计，但这恰恰证明了其成熟度和在大量现有成功应用中的深厚积淀，对于产品升级、维护或特定成本优化项目而言，它依然是极具性价比的智慧之选。当您需要可靠的高压开关解决方案时，与专业的ST芯片代理合作，不仅能确保您获得正品货源和稳定的供应，更能获得深入的技术支持，帮助您将这颗芯片的潜力发挥到极致，快速将更高效、更可靠的产品推向市场。

• 型号:STD4NK50ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:310 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD4NK50ZT4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时保持高效冷静的功率器件？STD4NK50ZT4正是为您而来的解决方案。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和3A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（2.7Ω）与栅极电荷（12nC），能显著降低开关过程中的能量损耗，让您的电源系统运行得更凉快、更高效。

它能让您轻松应对反激式转换器、功率因数校正（PFC）以及LED照明驱动等应用场景。优异的开关特性配合DPAK封装，不仅节省宝贵的电路板空间，还简化了您的散热设计。选择它，就是为您的产品注入了意法半导体久经考验的可靠性与性能，助您快速实现高效稳定的电源设计目标。