STD4NS25T4

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为功率器件的性能与可靠性而妥协？现在，一颗集高效、坚固与稳定于一身的功率开关解决方案已经到来STD4NS25T4。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其250V的耐压能力和4A的连续电流处理能力，为您的中等功率应用注入强劲而可靠的核心动力。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品整体性能、确保长期稳定运行的关键基石。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）中，无论是反激式还是正激式拓扑，STD4NS25T4都能凭借其优异的开关特性和低导通电阻，显著降低开关损耗和传导损耗，让电源效率轻松跃升新台阶。在电机控制领域，无论是家用电器中的风扇电机还是工业设备中的小型驱动，它都能提供快速、干净的开关动作，确保电机平稳启停和高效运行，同时其坚固的DPAK封装和高达150°C的结温，足以应对各种苛刻环境下的热挑战。此外，在照明镇流器、DC-DC转换器等应用中，它同样是值得信赖的选择。

选择STD4NS25T4，意味着您选择了一份源自ST意法半导体MESH OVERLAY产品系列的卓越品质与成熟工艺。其1.1欧姆的低导通电阻（在10V驱动下）结合仅27nC的低栅极电荷，实现了效率与驱动简易性的完美平衡，让您的电路设计更简洁，性能更出众。虽然该型号目前已停产，但其经典的设计和久经市场验证的可靠性，使其在特定存量项目或对成熟方案有需求的场合中依然极具价值。为确保您获得正品保障与可靠供应，我们强烈建议您通过正规的ST授权代理渠道进行咨询与采购，为您的产品成功加上一道坚实的保险。

• 型号:STD4NS25T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:355 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD4NS25T4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否正在寻找一颗能够在中压、中等电流应用中担当重任，同时兼顾高效与可靠的功率开关？STD4NS25T4正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有250V的漏源电压和4A的连续电流能力，其核心价值在于通过1.1欧姆的低导通电阻和优化的栅极电荷，显著降低功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用坚固的DPAK表面贴装封装，功率处理能力高达50W，结温可承受150°C的高温，确保了在复杂工况下的长期稳定性和耐用性。无论是用于提升现有设计的效率，还是为成熟可靠的方案寻找核心部件，STD4NS25T4都能让您以更少的损耗，获得更强的功率控制能力，轻松应对设计挑战。