STD50N03L-1 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD50N03L-1技术参数详情：

在追求极致能效的电源管理设计中，您是否曾为寻找一款能在高电流下保持低损耗、同时兼具出色热稳定性的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的可靠答案STD50N03L-1。这款来自意法半导体STripFET III家族的N沟道MOSFET，以其卓越的性能参数，正在成为众多高效能应用中的核心动力源泉。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、降低系统能耗的关键伙伴。

想象一下，在您的同步整流电路、电机驱动模块或是高密度DC-DC转换器中，STD50N03L-1正发挥着核心作用。它高达40A的连续漏极电流承载能力和低至10.5毫欧的导通电阻，意味着在驱动大功率负载时，它能将导通损耗降至极低，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而非令人头疼的热量。其宽广的-55°C至175°C工作结温范围，赋予了它应对严苛环境挑战的底气，无论是工业自动化设备中持续运转的电机，还是汽车辅助系统中需要快速响应的负载开关，它都能稳定可靠地工作，确保您的系统长时间无虞运行。

选择STD50N03L-1，就是选择了一份经过时间淬炼的成熟与可靠。尽管其零件状态已标注为停产，但这恰恰证明了它在过往设计中的广泛应用和卓越口碑，对于许多成熟产品线的维护与升级而言，它依然是不可或缺的优选。其5V/10V的低驱动电压要求，让它可以轻松被主流控制器驱动，简化您的驱动电路设计。通孔IPAK封装不仅提供了坚固的物理结构，更带来了优异的散热性能，配合高达60W的功率耗散能力，让热管理变得更为从容。如果您正在为现有项目寻找这款性能经典的器件，专业的ST代理商将是您获取可靠货源和技术支持的重要渠道。让STD50N03L-1的强劲动力与高效表现，为您的下一个成功产品注入核心能量。

型号:STD50N03L-1
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:IPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 40A IPAK
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 5 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1434 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:60W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:IPAK
封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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您是否希望为您的电源转换或电机控制应用找到一颗既能“扛大电流”又能“保持冷静”的功率开关？STD50N03L-1正是为此而生。这颗30V耐压、40A电流能力的N沟道MOSFET，凭借其STripFET III技术的超低导通电阻（仅10.5毫欧），能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。

它能让您轻松驾驭同步整流、DC-DC转换器和各类负载开关等高要求场景。极低的栅极电荷和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保了快速开关响应和出色的环境适应性。选择它，就是为您的设计选择了经久耐用的高效能核心，轻松提升整体方案的可靠性与能效表现。