STD52P3LLH6

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为功率转换效率的微小提升而绞尽脑汁？答案或许就藏在一颗小小的功率器件之中。今天，我们向您隆重介绍一款能够重新定义30V级功率设计可能性的明星产品STD52P3LLH6。它不仅仅是一个P沟道MOSFET，更是意法半导体STripFET H6系列技术的集大成者，旨在将导通损耗降至前所未有的低水平，让您的系统在激烈的市场竞争中，凭借卓越的能效表现脱颖而出。

想象一下，在紧凑的同步整流电路、高效的DC-DC转换模块或是需要精妙功率管理的电池保护系统中，STD52P3LLH6能够轻松驾驭高达52A的连续电流。其惊人的12毫欧超低导通电阻（在10V Vgs，26A条件下），意味着在相同电流下，它产生的热量更少，能量浪费被大幅削减。这不仅直接提升了终端产品的续航能力或降低了散热需求，更让您的设计在可靠性和长期稳定性上拥有了坚实保障。无论是驱动电机、管理电源路径，还是在空间受限的便携设备中实现大电流开关，它都能以稳定、高效的表现为您的创意保驾护航。

选择STD52P3LLH6，就是选择了一份对高性能与高可靠性的双重承诺。其4.5V的低驱动电压门槛，让它可以与多种主流控制器完美匹配，简化您的驱动电路设计。高达175°C的结温工作能力和70W的强大功率耗散，确保了它在严苛环境下的持久战斗力。经典的DPAK封装兼顾了功率处理能力与PCB空间利用率，是表面贴装应用的理想选择。当您需要获取官方技术支持和正品货源时，可以随时联系我们的ST代理团队。让STD52P3LLH6成为您下一个爆款产品的“能量心脏”，释放澎湃动力，赢得市场先机。

• 型号:STD52P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 52A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):52A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 26A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD52P3LLH6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗与高可靠性的P沟道MOSFET吗？STD52P3LLH6正是为您而来的解决方案。它基于意法半导体先进的STripFET H6技术打造，拥有30V的耐压和高达52A的连续电流承载能力，其核心魅力在于极低的导通电阻，能显著减少开关及导通过程中的功率损耗，直接提升您的电源系统或电机驱动方案的整机效率。

这颗芯片能让您轻松应对高电流密度设计的挑战。其优化的栅极电荷和低驱动电压特性，确保了快速、高效的开关性能，同时简化了驱动电路的设计难度。无论是用于同步整流、负载开关还是电池反接保护，STD52P3LLH6都能以稳定的表现和卓越的能效，助您打造出更节能、更紧凑、更具竞争力的电子产品。