STD5N20T4

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源转换方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时兼顾高耐压、低导通电阻和出色开关性能的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品表现。现在，答案就在STD5N20T4。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其200V的漏源电压和5A的连续漏极电流能力，为您的中等功率应用提供了一个坚实可靠的心脏。它不仅仅是一个开关元件，更是您提升系统整体效率、实现设计精简化的关键引擎。

无论是需要高效DC-DC转换的工业电源模块，还是对空间和热管理极为苛刻的消费类电子适配器，甚至是电机驱动和照明控制中的功率开关环节，STD5N20T4都能游刃有余。其采用的MESH OVERLAY技术，确保了在10V驱动电压下，导通电阻低至800毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。当您的设备在满负荷运行时，这颗芯片能让能量更顺畅地通过，将更多的电能转化为有用的输出，而不是白白浪费在发热上。这种高效能直接转化为您产品的竞争优势更长的续航、更小的散热器、更安静的工作状态。

选择STD5N20T4，就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。尽管其零件状态已标注为停产，但这恰恰证明了其经典的设计和可靠的性能在过往应用中获得了巨大成功，对于仍有需求的特定项目和备品维护而言，它依然是经过时间淬炼的优质之选。其DPAK封装形式非常适合自动化表面贴装生产，能帮助您提升制造效率。高达150°C的结温工作能力和45W的功率耗散，赋予了它强大的环境适应性和鲁棒性。当您需要为经典或特定项目寻找值得信赖的功率解决方案时，通过专业的ST芯片代理获取STD5N20T4及相关支持，无疑是确保供应链稳定和技术匹配度的明智之举。让这颗凝聚了ST尖端工艺的功率器件，为您的设计注入高效与可靠的基因。

• 型号:STD5N20T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD5N20T4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能扛起200V电压、流畅通过5A电流，同时还能保持冷静的功率开关吗？STD5N20T4正是为您的中功率应用量身打造的解决方案。它采用先进的N沟道MOSFET技术，在您最关心的效率指标上表现卓越低至800毫欧的导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

这颗芯片能轻松集成到您的表面贴装设计中，其DPAK封装兼顾了功率处理能力和空间节省。高达150°C的结温工作范围，确保了它在严苛环境下依然稳定可靠。无论是提升现有产品的能效，还是开发新一代紧凑型设备，STD5N20T4都能让您以更低的发热实现更强的性能输出，简化您的热管理设计，助您轻松打造出更具市场竞争力的产品。