STD5N60DM2

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案中，工程师们是否常常面临开关损耗与散热压力的双重挑战？现在，一个卓越的解决方案已经到来STD5N60DM2。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压能力和3.5A的连续漏极电流，为您的高压开关应用注入强大而稳定的核心动力。它不仅仅是又一个元器件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键钥匙。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或照明镇流器设计中，STD5N60DM2能够如何大显身手。它基于先进的MDmesh DM2技术平台打造，这项技术的精髓在于显著降低了导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg）。这意味着在每一次开关动作中，导通损耗和开关损耗都被大幅削减，电能得以更高效地传递，而非转化为无谓的热量。其结果直接而动人：您的终端设备运行更凉爽、更安静，整体能效显著提升，同时系统可靠性也获得了坚实保障。

选择STD5N60DM2，就是选择了一份从容与自信。其表面贴装（DPAK）封装不仅节省了宝贵的PCB空间，便于自动化生产，更能配合优化的热性能，将高达45W的功率耗散能力稳健发挥。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作，赋予您的产品卓越的环境适应性。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，信赖专业的ST代理是确保项目顺利推进的明智之举。让STD5N60DM2成为您下一个明星产品的“心脏”，它将用卓越的性能和可靠性，帮助您赢得市场，创造更大价值。

• 型号:STD5N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.55 欧姆 @ 1.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:375 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD5N60DM2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、低损耗与高可靠性的高压开关管吗？STD5N60DM2正是为此而生。这颗采用ST先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和3.5A的电流处理能力，专为提升您的开关电源、照明驱动等应用的性能而优化。

它的核心价值在于极低的导通电阻（1.55Ω）与栅极电荷（8.6nC），这直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，让您的系统运行更高效、发热更少。采用DPAK表面贴装封装，不仅节省空间，其强大的散热能力（45W）和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），更能让您轻松应对各种设计挑战，构建出更紧凑、更可靠、更具竞争力的电源解决方案。