STD5N60M2

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够显著降低导通电阻、提升开关速度的功率MOSFET，将如何为您的产品注入强劲动力。现在，这一切不再是想象，STD5N60M2正是为此而生的卓越解决方案。

它源自意法半导体备受赞誉的MDmesh II Plus产品家族，这颗N沟道MOSFET拥有高达600V的漏源电压和3.5A的连续漏极电流，为您的设计提供了坚固的耐压屏障和充沛的电流处理能力。其核心魅力在于极低的导通电阻，在10V驱动电压下仅1.4欧姆，这意味着更少的能量以热的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的运行温度。同时，极低的栅极电荷（仅8.5nC）确保了超快的开关速度，让您的电源能够在高频下稳定、高效地工作，轻松应对PWM控制等严苛要求。

无论是家用电器中的辅助电源、LED照明驱动，还是工业电源中的功率因数校正（PFC）电路，STD5N60M2都能游刃有余。它那表面贴装的DPAK封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，大幅提升您的制造效率。当您的设计需要在紧凑空间内处理数百伏电压并追求极致效率时，选择它就意味着选择了可靠与高性能的完美平衡。我们作为专业的ST代理，深知这颗芯片的价值，它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、赢得市场的关键伙伴。其高达150°C的结温工作能力和45W的功率耗散，赋予了系统强大的鲁棒性，即使在恶劣环境下也能持续稳定输出，让您的产品寿命更长，口碑更佳。

所以，当您下一次为电源转换效率或系统可靠性而斟酌选型时，请将目光投向STD5N60M2。它集高性能、高可靠性与高性价比于一身，是工程师面对中功率应用挑战时值得信赖的答案。选择它，就是为您的下一个成功项目，选择了一个坚实而高效的起点。

• 型号:STD5N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 1.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:211 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD5N60M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和易用性的中压功率开关？STD5N60M2正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有600V/3.5A的强劲规格，专为提升您的电源系统性能而生。

它采用先进的MDmesh II Plus技术，为您带来极低的1.4欧姆导通电阻和仅8.5nC的栅极电荷。这意味着它能大幅降低开关损耗和导通损耗，让您的电源转换效率显著提升，运行更凉爽、更节能。同时，快速的开关特性让您能轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，优化整体方案成本。

无论是开关电源、电机驱动还是照明镇流器，STD5N60M2都能以DPAK表面贴装封装，为您提供稳定可靠的功率处理核心，让您的产品设计更紧凑，生产更高效。