STD5N95K5

在追求更高能效和更紧凑设计的电源方案中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？现在，一颗集高耐压、低损耗与卓越可靠性于一身的功率MOSFET，正为您带来突破性的解决方案STD5N95K5。它不仅仅是意法半导体SuperMESH5家族的杰出代表，更是您构建高效、稳定电源系统的坚实基石。其高达950V的漏源电压和优化的导通电阻，意味着在严苛的高压环境下，它依然能保持出色的开关性能和极低的能量损耗，直接转化为您产品的效率提升和散热设计的简化。

无论是开关电源、LED照明驱动，还是工业电机控制，STD5N95K5都能游刃有余。想象一下，在您的下一个反激式电源设计中，这颗芯片凭借其低至12.5nC的栅极电荷和优化的动态特性，能够显著降低开关损耗，让系统即使在满载运行时也保持“冷静”。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的DPAK封装，确保了在各种环境挑战下的长期稳定运行，让您的产品从容应对从消费电子到工业设备的多样化需求。

选择STD5N95K5，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保障。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品竞争力、缩短开发周期的得力助手。其平衡的性能参数，让您在追求高效率与高可靠性的同时，无需在成本上做出妥协。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，专业的ST芯片代理将成为您坚实的后盾。立即将STD5N95K5纳入您的设计，亲身体验它如何以卓越的电气性能和坚固的物理特性，为您的创新注入强大动力，创造出更节能、更可靠、更令市场瞩目的终端产品。

• 型号:STD5N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 3.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:220 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为高压应用中的开关损耗和散热问题头疼吗？STD5N95K5正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体SuperMESH5系列的N沟道MOSFET，拥有高达950V的耐压和仅2.5欧姆的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源系统运行得更高效、更凉爽。

它集低栅极电荷、高开关频率支持与出色的热性能于一身，让您轻松实现更紧凑、更高效的电源设计。无论是开发新一代适配器、LED驱动器还是工业电源，STD5N95K5都能提供您所需的可靠性和性能，助您快速将创意转化为具有市场竞争力的产品。