STD5NK52ZD-1 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD5NK52ZD-1技术参数详情：

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重考验时，是否曾渴望一颗能在高压下稳定输出、同时保持出色能效表现的“心脏”？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体SuperMESH家族的明星成员STD5NK52ZD-1。这颗N沟道功率MOSFET，以其高达520V的漏源电压和4.4A的连续漏极电流，为您的高压开关应用注入强劲而可靠的能量。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争力的关键伙伴。

想象一下，在开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器或是电机驱动控制等场景中，STD5NK52ZD-1能够大显身手。其核心优势在于采用了先进的SuperMESH技术，这项技术显著优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡。具体而言，在10V驱动电压下，其导通电阻最大值低至1.5欧姆（@2.2A），而栅极电荷（Qg）最大值仅为16.9nC（@10V）。这意味着什么？意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更高的系统整体效率，以及更少的热量产生。在追求绿色节能和紧凑设计的今天，这一优势无疑为您产品的能效标签增添了耀眼的光环。

选择STD5NK52ZD-1，就是选择了一份经得起考验的可靠性。它拥有宽广的工作温度范围（-55°C至150°C结温）和高达70W（Tc）的功率耗散能力，确保您的设备即使在严苛的环境下也能稳定运行，延长产品寿命，减少售后维护的烦恼。其通孔I-PAK封装形式，兼顾了良好的散热性能和成熟的焊接工艺适应性，让您的生产组装过程更加顺畅。虽然该型号目前已处于停产状态，但通过正规的ST授权代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或可靠的替代方案咨询，确保您的供应链安全与项目延续性。让这颗凝聚了ST尖端技术的功率器件，成为您下一个成功设计的坚实基石。

型号:STD5NK52ZD-1
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:IPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 520V 4.4A I-PAK
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:520 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:70W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:IPAK
封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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还在为高压应用中的开关损耗和散热问题头疼吗？让STD5NK52ZD-1来为您分忧！这颗来自ST意法半导体SuperMESH系列的N沟道MOSFET，是专为高效能、高可靠性场景而生的功率开关解决方案。

它拥有520V的高耐压和4.4A的连续电流能力，让您轻松应对开关电源、PFC、照明及电机驱动等应用的严苛要求。其核心技术优势在于极低的导通电阻（1.5Ω @10V）与栅极电荷（16.9nC @10V）的完美结合，能显著降低功耗，提升系统整体效率，同时减少热管理压力。高达70W的功率处理能力和宽广的工作温度范围，确保了其在各种环境下的长期稳定运行。

选择它，就是为您的产品选择了高效、可靠与持久的动力核心。