STD5NM50AG

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源转换方案是否还在为功率损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够轻松驾驭500V高压、承载7.5A电流的功率开关，同时将导通电阻控制在极低水平，这不仅仅是参数的提升，更是系统整体性能和可靠性的飞跃。现在，这一切由STD5NM50AG为您实现。

这款源自意法半导体MDmesh家族的N沟道MOSFET，专为应对苛刻的开关应用而生。其卓越的800毫欧超低导通电阻（在2.5A，10V条件下），意味着在导通状态下，电能可以更顺畅地通过，将不必要的热量产生降至最低。配合仅13nC的低栅极电荷，它能够实现极快的开关速度，显著降低开关损耗。无论是面对频繁启停的电机驱动，还是要求高效率的开关电源拓扑，它都能游刃有余，让您的系统运行得更冷静、更持久。其坚固的DPAK封装和高达100W的功率耗散能力，确保了在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作，为您的设计提供了坚实的保障。

当您在设计新一代的服务器电源、工业电机驱动器、LED照明驱动或高性能充电器时，选择STD5NM50AG就是选择了一种经过市场验证的可靠解决方案。它不仅仅是一个单独的元件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本、并加速产品上市周期的关键伙伴。通过与值得信赖的ST代理商合作，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，更能得到专业的技术支持和供应链服务，让您的创新之路更加顺畅。立即将这颗高效能引擎融入您的下一个设计，亲身体验它如何以卓越的性能和可靠性，为您的终端产品注入强大动力与持久生命力。

• 型号:STD5NM50AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:415 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD5NM50AG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压开关应用的效率瓶颈寻找突破口吗？STD5NM50AG N沟道MOSFET就是您期待的答案。它基于意法半导体先进的MDmesh技术，集500V高耐压、7.5A大电流承载能力与超低导通电阻于一身，旨在显著降低您的电源转换或电机驱动方案中的导通与开关损耗。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松构建更高效、更紧凑的功率系统。其快速开关特性和低栅极电荷，让您实现更高的开关频率，从而有可能使用更小的磁性元件。同时，优异的散热性能和坚固的DPAK封装，确保了系统在严苛环境下的长期可靠运行，助您打造出性能出众且寿命持久的终端产品。