STD5NM50T4

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭500V高压与7.5A电流的功率开关，其导通电阻低至800毫欧，这背后意味着更低的传导损耗和更清凉的系统运行。STD5NM50T4正是这样一款来自ST意法半导体MDmesh家族的N沟道MOSFET，它不仅仅是一个参数，更是您提升产品竞争力的可靠基石。

无论是工业电源、电机驱动，还是LED照明和适配器，STD5NM50T4都能游刃有余。其500V的漏源电压为您提供了充足的电压裕度，有效应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰，让系统运行更加稳健可靠。而仅13nC的低栅极电荷，则显著降低了开关过程中的驱动损耗，使得开关频率可以更高，从而帮助您实现电源产品的小型化和轻量化，在激烈的市场竞争中脱颖而出。

选择STD5NM50T4，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能。它继承了ST MDmesh技术的优良基因，在导通电阻与开关速度之间取得了精妙的平衡。这意味着您的设计将同时获得高效率与高可靠性，大幅降低全生命周期内的运维成本。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能使其在诸多现有项目和备件市场中依然备受青睐。如需获取库存或寻找替代方案，专业的ST代理商将是您最值得信赖的合作伙伴，他们能为您提供精准的物料支持和专业的技术服务。

• 型号:STD5NM50T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:415 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD5NM50T4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时保持冷静高效的功率开关吗？STD5NM50T4正是您的理想之选。这颗采用先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和7.5A的连续电流能力，让您在设计工业电源、电机驱动等应用时信心十足。

它的核心魅力在于卓越的性能平衡。低至800毫欧的导通电阻，能显著减少导通损耗，提升整体能效；而优化的栅极电荷和电容特性，则确保了快速干净的开关动作，让您轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，降低成本。其DPAK封装兼顾了功率处理能力与PCB空间节省，是追求功率密度与可靠性的完美载体。