STD64N4F6AG - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD64N4F6AG技术参数详情：

当您的下一代汽车电子系统需要同时兼顾极致的能效与坚如磐石的可靠性时，您会选择怎样的核心功率器件？答案或许就藏在STD64N4F6AG这颗卓越的N沟道功率MOSFET之中。它不仅仅是意法半导体STripFET F6汽车级家族的明星成员，更是一个为应对严苛挑战而生的性能标杆，旨在将您的设计从“满足要求”推向“超越期待”的新高度。

想象一下，在电动汽车的电机驱动单元、车载DC-DC转换器或是先进的电池管理系统里，每一次开关动作都关乎整体效率与续航里程。STD64N4F6AG以其低至8.2毫欧的导通电阻，在27A电流下就能将传导损耗降至极低水平，这意味着更少的能量以热量形式浪费，更多的能量被有效利用，直接转化为更长的行驶里程或更持久的设备运行时间。其高达54A的连续漏极电流承载能力和40V的漏源电压，为12V/24V汽车电气平台提供了充裕的功率处理余量，确保系统即使在瞬态冲击下也能稳定如山。

从引擎盖下的高温环境到寒冷冬季的冷启动，-55°C至175°C的宽广结温工作范围，配合AEC-Q101车规认证，赋予了它无与伦比的环境适应性与耐久性。这颗采用DPAK封装的表面贴装器件，不仅节省宝贵的PCB空间，其优化的热性能设计也让热量管理变得更为高效。无论您是设计高性能的车载充电器、LED驱动，还是需要精密控制的电动助力转向系统，它都能无缝融入，成为您动力链路上最可靠的一环。选择STD64N4F6AG，就是选择了一份由意法半导体先进工艺与严格品控背书的信心保障，而通过值得信赖的ST代理伙伴进行采购，更能确保您获得正品货源与及时的技术支持，让您的产品从研发到量产一路畅通。

归根结底，在竞争白热化的市场中，产品的差异化往往取决于这些核心器件的选型。STD64N4F6AG所提供的不仅仅是参数表上的优异数字，更是一整套价值解决方案：它通过降低损耗来提升能效，通过增强鲁棒性来减少系统故障率，最终帮助您打造出性能更强劲、运行更稳定、寿命更持久的终端产品。这不仅仅是升级了一个组件，更是为您产品的市场竞争力注入了一剂强心针。

型号:STD64N4F6AG
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 40V 54A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):54A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.2 毫欧 @ 27A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2415 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:60W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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您是否正在寻找一颗能够为您的汽车级应用提供强大动力与超高效率的“心脏”级开关器件？STD64N4F6AG正是为此而生。这颗来自意法半导体的40V/54A N沟道MOSFET，凭借其STripFET F6先进技术，实现了极低的8.2毫欧导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率飙升，同时有效控制温升。

它具备高达60W的功率处理能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，并通过了严苛的AEC-Q101车规认证，确保在振动、高温、高湿等恶劣环境下依然稳定可靠。无论是用于车载充电器、LED照明驱动，还是EPS系统，它都能让您轻松应对高电流挑战，提升系统整体性能与寿命。其DPAK封装设计兼顾了功率密度与散热需求，是您打造下一代高效、紧凑、可靠汽车电子产品的理想选择。