STD65N3LLH5

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否曾为寻找一款既能承载大电流、又具备超低导通损耗的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STD65N3LLH5。这款来自意法半导体STripFET V家族的N沟道MOSFET，以其高达65A的连续漏极电流和低至6.9毫欧的导通电阻，为您扫清设计障碍，将能量损耗降至新低，让每一分电力都物尽其用。

想象一下，在紧凑的DC-DC转换器、高效的电机驱动模块或是要求严苛的负载开关应用中，STD65N3LLH5能够轻松驾驭。其30V的漏源电压和仅需4.5V的低驱动电压，意味着它不仅能完美适配12V或24V的工业及汽车总线系统，还能与主流逻辑电平控制器无缝对接，简化您的驱动电路设计。无论是服务器电源中需要高效同步整流的场景，还是电动工具中要求瞬间爆发大电流的瞬间，这颗芯片都能稳定可靠地工作，其宽广的-55°C至175°C结温范围，更是确保了它在各种严苛环境下的持久耐力。

选择STD65N3LLH5，就是选择了一份经过时间考验的可靠性与卓越的性能价值。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和出色的参数表现，使其成为许多经典和延续性项目的理想之选。通过我们信赖的ST代理渠道，您依然可以获取到高品质的原装产品，保障您的供应链稳定与产品一致性。它采用标准的DPAK表面贴装封装，便于自动化生产，帮助您提升制造效率，降低成本。让STripFET V技术的低栅极电荷和低输入电容特性，助您实现更高的开关频率和更低的开关损耗，最终打造出更小巧、更高效、更具市场竞争力的终端产品。

• 型号:STD65N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 30V 65A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.9 毫欧 @ 32.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1290 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD65N3LLH5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为功率开关的效率瓶颈而困扰吗？STD65N3LLH5正是您提升系统能效的得力助手。这颗N沟道MOSFET拥有65A的强大电流承载能力和低至6.9毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它专为30V及以下电压平台优化，仅需4.5V的低驱动电压即可充分发挥性能，让您轻松搭配各类控制器。其出色的热性能（最大功耗50W）和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保了在苛刻环境下的稳定运行。选择它，就是为您的设计注入了意法半导体STripFET V技术的可靠基因。