STD65N55LF3 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD65N55LF3技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为寻找一颗既能承载大电流、又具备出色热性能的MOSFET而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。让我们将目光聚焦于意法半导体STripFET III家族中的明星成员STD65N55LF3。这颗N沟道功率MOSFET，以其55V的漏源电压和高达80A的连续漏极电流承载能力，为您的高功率密度应用注入强劲动力。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体效率、缩小产品体积、增强市场竞争力的关键引擎。

想象一下，在您的手持电动工具、大功率DC-DC转换器或高效的电机驱动电路中，STD65N55LF3正以其卓越的性能稳定运行。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压、32A电流下，Rds(on)最大值仅为8.5毫欧。这意味着在导通状态下，芯片自身的功率损耗被降至极低水平，更多的电能被高效地输送到负载端，直接转化为更长的设备运行时间、更低的温升以及更小的散热系统需求。无论是应对工业环境中的严苛挑战，还是满足消费电子对紧凑空间的极致要求，它都能游刃有余。

选择STD65N55LF3，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它传承了STripFET III技术的优良基因，在开关速度与电磁干扰（EMI）之间取得了精妙平衡。仅20nC@5V的低栅极电荷，让驱动电路的设计更为轻松，实现了快速、干净的开关切换，从而有效降低开关损耗，提升系统频率响应。其宽广的-55°C至175°C结温工作范围，配合DPAK封装出色的热传导特性，确保了在高温高负载环境下的长期稳定运行。当您需要可靠的原厂品质与技术支持时，选择一家资深的ST芯片代理合作伙伴，将能确保您稳定、便捷地获取这颗性能悍将，并得到专业的选型与应用支持，让您的产品创新之路更加顺畅。

型号:STD65N55LF3
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 5 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:110W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为高功率应用中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？STD65N55LF3正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有55V耐压和高达80A的电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（典型值仅8.5毫欧@10V），能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它采用先进的STripFET III技术，具备低栅极电荷和优异的开关特性，让您轻松实现快速、高效的功率切换，同时有助于简化驱动电路设计。DPAK表面贴装封装结合宽达-55°C至175°C的工作结温，确保了出色的功率耗散能力和在苛刻环境下的可靠性与长寿命。选择它，就是为您的产品选择了一份强大的性能保障与能效优势。