STD6N60DM2

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？让我们向您介绍一款能够打破平衡、带来显著性能跃升的功率器件STD6N60DM2。这款来自ST意法半导体的600V N沟道MOSFET，凭借其卓越的MDmesh DM2技术，将高耐压、低导通电阻与快速开关特性完美融合，为您的高要求应用注入强劲而高效的动力核心。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或照明镇流器中，STD6N60DM2正稳定工作。它高达600V的漏源电压和5A的连续漏极电流，为系统提供了坚实的可靠性保障。其低至1.1欧姆的导通电阻（Rds(on)）意味着更低的传导损耗，而极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则显著降低了开关损耗。这直接转化为更低的温升、更高的整体效率，以及更小的散热器需求，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出，同时简化机械设计，降低成本。

选择STD6N60DM2，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的技术承诺。其DPAK封装兼顾了功率处理能力与表面贴装的便利性，非常适合自动化生产。宽广的-55°C至150°C结温工作范围，确保了它在严苛环境下的稳定表现。无论您是设计工业电源、家用电器还是LED驱动，这颗芯片都能帮助您轻松达成能效目标，提升产品市场竞争力。如需获取样品、技术资料或采购支持，欢迎联系我们的ST中国代理，他们将为您提供专业、及时的本土化服务。让STD6N60DM2成为您下一个成功设计的秘密武器，开启高效节能的新篇章。

• 型号:STD6N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:274 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找一颗能兼顾高效能与高可靠性的中功率开关管？STD6N60DM2正是为您而来。这颗采用先进MDmesh DM2技术的600V/5A MOSFET，拥有极低的导通电阻（1.1Ω）和栅极电荷，能显著降低开关电源和功率转换电路中的损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高。

它意味着您可以用更小的散热设计实现更大的功率输出，轻松优化产品体积与成本。其坚固的DPAK封装和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），确保了在各种应用环境下的长期稳定运行，是您提升产品能效与可靠性的理想选择。