STD6NK50ZT4 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD6NK50ZT4技术参数详情：

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为开关损耗和热管理问题而困扰？当传统MOSFET在高频高压下表现乏力时，STD6NK50ZT4的出现，正是为了终结这一困境。它不仅仅是一个元器件，更是意法半导体SuperMESH技术的一次强力宣言，专为那些对性能有苛刻要求的应用场景而生。想象一下，在紧凑的电路板上，一颗芯片就能同时承载500V的高压和5.6A的连续电流，其导通电阻低至1.2欧姆，这意味着更少的能量以热的形式浪费，让您的系统运行得更冷静、更持久。

这颗芯片的强大，尤其体现在那些需要稳定动力核心的领域。无论是工业电源、LED驱动、家用电器中的电机控制，还是充电器与适配器，STD6NK50ZT4都能游刃有余。其卓越的开关特性（栅极电荷Qg仅24.6nC）确保了快速响应，有效减少开关损耗，从而提升整体系统效率。在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，让它能从容应对各种严苛环境，从炎热的车间到寒冷的户外，性能始终如一。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的心脏。

那么，为什么众多工程师在面临高压开关方案选型时，会倾向于STD6NK50ZT4？答案在于它带来的综合价值远超一个简单的参数列表。它通过优化设计，在高压、低导通电阻和快速开关之间取得了完美平衡，直接帮助您降低系统热设计难度，简化散热方案，从而节省空间与成本。其表面贴装DPAK封装也便于自动化生产，提升制造效率。更重要的是，它源自行业巨头意法半导体，品质与一致性有保障。如果您正在寻找可靠的原厂供应渠道，我们的ST授权代理身份能确保您获得正品支持与专业服务。虽然该型号已不适用于全新设计，但对于许多成熟、追求高性价比与可靠性的项目而言，它依然是经过市场长期验证的卓越选择，是助力产品成功上市并稳定运行的秘密武器。

型号:STD6NK50ZT4
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 500V 5.6A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:不适用于新设计
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:90W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为高压开关应用的效率瓶颈烦恼吗？STD6NK50ZT4就是您期待的解决方案。这颗基于意法半导体先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有500V的漏源电压和5.6A的连续电流处理能力，能轻松胜任各种高压开关任务。其核心价值在于极低的导通电阻（仅1.2欧姆）和优化的栅极电荷，这直接为您带来更低的传导损耗和开关损耗，让您的电源设计效率更高，发热更少。

这意味着，您可以简化散热设计，让产品结构更紧凑，同时获得更稳定的长期运行性能。无论是用于开关电源、电机驱动还是照明系统，STD6NK50ZT4都能让您以更高的能效和可靠性，从容应对挑战，助力您的产品在市场中脱颖而出。