STD70N03L - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD70N03L技术参数详情：

在追求极致效率的电源管理与电机驱动设计中，您是否还在为寻找一款能在高电流下稳定工作、同时保持超低导通损耗的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STD70N03L。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其70A的连续漏极电流和仅为7.3毫欧的超低导通电阻，重新定义了30V应用场景下的性能标杆。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品能效、增强系统可靠性的强大引擎。

想象一下，在您的同步整流电路、DC-DC转换器或是电机驱动模块中，STD70N03L正以其STripFET III技术的精髓，大幅降低开关损耗和导通损耗。这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更多的能量被高效地传递到负载端。无论是驱动电动工具中的强劲马达，还是为服务器电源提供精准的功率分配，它都能在-55°C到175°C的宽温范围内稳定运行，确保您的设备在严苛环境下依然表现卓越。其DPAK封装不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，让您的制造流程如虎添翼。

选择STD70N03L，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠性与卓越性能的保障。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和广泛的应用验证，使其成为许多经典和现有项目升级、备货的绝佳选择。通过与值得信赖的ST代理商合作，您可以确保获得原装正品，并获得专业的技术支持与供应链服务。它那仅需5V驱动电压即可实现优异性能的特性，让您的控制电路设计更为简化。当您需要一款能够承载大电流、控制精准、发热量低的功率开关时，STD70N03L无疑是您值得信赖的伙伴，助您打造出更节能、更强劲、更具市场竞争力的终端产品。

型号:STD70N03L
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 70A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.3 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 5 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:70W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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您正在寻找一颗能“扛大梁”的功率开关吗？STD70N03L正是这样一款专为高效能量控制而生的N沟道MOSFET。它能让您轻松驾驭高达70A的连续电流，凭借其惊人的7.3毫欧超低导通电阻，显著减少功率损耗，直接将更多电能高效输送给您的负载，无论是用于电源转换还是电机驱动，都能让系统运行得更“冷静”、更持久。

这颗芯片基于ST先进的STripFET III技术打造，不仅开关速度快，栅极电荷（Qg）低至21nC，让您的驱动电路设计更简单、响应更迅捷。其坚固的DPAK封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保它在各种挑战性环境中稳定可靠。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。