STD70N2LH5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD70N2LH5技术参数详情：

在追求极致效率的电源与电机控制领域，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内承载大电流、同时保持超低损耗的开关器件而烦恼？今天，我们为您带来的STD70N2LH5，正是意法半导体STripFET V系列中的一颗明星产品，它完美诠释了“小身材，大能量”的设计哲学。凭借仅7.1毫欧的超低导通电阻和高达48A的连续漏极电流能力，它能显著降低系统在导通状态下的功率损耗，将更多电能转化为有效输出，直接提升终端产品的能效等级和续航表现。

无论是需要快速响应的DC-DC转换器、高功率密度的服务器电源，还是对动态控制要求苛刻的电动工具、无人机电调，STD70N2LH5都能游刃有余。其N沟道设计和5V/10V的优化驱动电压，使其与现代主流控制器完美匹配，轻松实现高速开关。在汽车辅助系统、电池保护板等对可靠性要求极高的场景中，它宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）提供了坚实的保障，确保设备在严苛环境下稳定运行。选择它，就是为您的产品注入了强劲而可靠的心脏。

为何众多领先厂商在同类产品中青睐STD70N2LH5？答案在于其综合价值。它不仅仅是一个参数出色的MOSFET，更是STripFET V先进工艺的结晶，在开关速度、导通损耗和热性能之间取得了卓越平衡。这意味着您的设计可以更精简，散热处理更轻松，整体系统成本得到优化。虽然该型号已处于停产状态，但通过可靠的ST一级代理渠道，您依然可以获得有保障的库存和专业的技术支持，确保项目顺利推进与长期维护。立即采用STD70N2LH5，解锁更高能效与功率密度，让您的产品在市场竞争中率先冲线！

型号:STD70N2LH5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 25V 48A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.1 毫欧 @ 24A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 5 V
Vgs（最大值）:±22V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:60W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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想象一下，一颗芯片就能让您的电源模块效率大幅提升，发热显著降低STD70N2LH5正是为此而生。它是一款来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET V技术，核心使命就是为您提供高效、可靠的电流开关控制。

它能轻松承载高达48A的连续电流，而导通电阻却低至惊人的7.1毫欧，这意味着在通过大电流时，自身的能量损耗极低，让您的系统运行更凉爽、更节能。其优化的栅极电荷和快速的开关特性，让您能设计出响应更迅捷、频率更高的电源转换或电机驱动电路。无论是提升现有产品的性能，还是开发新一代高密度电源解决方案，STD70N2LH5都是您值得信赖的强力引擎。