STD70N6F3 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD70N6F3技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换世界里，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一个关键功率开关，既能承载高达70A的强劲电流，又能将导通电阻压至惊人的10.5毫欧以下，这带来的不仅仅是效率的飞跃，更是系统可靠性与设计自由度的全面解放。今天，我们向您隆重介绍意法半导体STripFET III家族中的性能悍将STD70N6F3，它将用实实在在的数据，重新定义您对60V级别N沟道MOSFET的期待。

当您着手设计新一代的DC-DC转换器、电机驱动控制器或高功率LED照明系统时，STD70N6F3就是您值得信赖的基石。其60V的漏源电压和70A的连续漏极电流能力，为各种严苛的工业与汽车应用提供了坚实的保障。更令人印象深刻的是，在10V驱动下，其超低的Rds(on)值能显著减少导通损耗，而仅35nC的低栅极电荷则大幅降低了开关损耗，这意味着您的系统可以在更高的频率下运行，同时保持更低的温升和更高的整体效率。无论是服务器电源追求的那一点能效提升，还是电动工具需要的瞬间大电流爆发力，这颗芯片都能游刃有余。

选择STD70N6F3，就是选择了一种经过市场验证的卓越技术。STripFET III工艺赋予了它无与伦比的品质，从-55°C到175°C的宽广结温工作范围，确保了其在极端环境下的稳定表现。表面贴装的DPAK封装，兼顾了功率处理能力与PCB空间利用率，让您的布局更加灵活。我们理解，出色的产品需要可靠的渠道支持，通过权威的ST代理商进行采购，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，更能得到及时的技术支持与供货稳定性，让您的项目从设计到量产一路畅通。这不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升产品竞争力、赢得市场的强大引擎。

型号:STD70N6F3
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 60V 70A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:110W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找那颗能兼顾大电流与高效率的“核心开关”吗？STD70N6F3正是为您而来的解决方案。它基于意法半导体先进的STripFET III技术，集成了60V耐压和高达70A的电流处理能力，而其核心魅力在于超低的10.5毫欧导通电阻。这意味着在您的电机驱动、电源转换或负载开关应用中，它能显著降低导通损耗，直接转化为更低的发热和更高的系统效率。

这颗芯片的设计充分考虑了您的易用性。仅需10V驱动电压即可实现完全导通，配合极低的栅极电荷，让您的驱动电路设计更简单，开关速度更快，整体性能更加高效。其坚固的DPAK封装和宽达-55°C至175°C的工作结温，确保它在各种挑战性环境中稳定运行，让您对产品的可靠性充满信心。选择STD70N6F3，就是为您的设计注入一股强劲而高效的动力。