STD7ANM60N

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否还在为高压开关应用的性能瓶颈而困扰？现在，让我们为您介绍一个能够彻底改变游戏规则的解决方案STD7ANM60N。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的卓越耐压能力和5A的连续漏极电流，为您的高压电路注入强劲而稳定的动力核心。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体效率、迈向更高可靠性的关键钥匙。

想象一下，在电动汽车的车载充电器(OBC)中，或者在工业伺服驱动器的功率转换单元里，STD7ANM60N正以其出色的性能默默工作。它隶属于备受赞誉的Automotive, AEC-Q101, MDmesh II产品系列，这意味着它天生就为严苛的汽车电子环境而生，能够轻松应对高低温冲击、振动等挑战，确保您的产品在生命周期内稳定如一。无论是太阳能逆变器中的MPPT电路，还是UPS不间断电源中的DC-AC变换环节，这颗芯片都能凭借其低至900毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，显著降低开关损耗和导通损耗，让您的系统效率轻松攀升，热量大幅减少。

选择STD7ANM60N，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。其MDmesh II技术确保了更优的开关性能与雪崩耐量，而高达150°C的结温工作能力，则为您提供了充裕的设计余量和可靠性保障。DPAK封装形式兼顾了功率处理能力与PCB空间利用率，让您的设计更加紧凑高效。当您需要可靠的技术支持和本土化服务时，我们的ST中国代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全方位支持。立即采用STD7ANM60N，让它成为您下一代高性能电源与电机驱动设计的信心之选，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STD7ANM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:363 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD7ANM60N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时兼顾高压、高效与高可靠性的功率开关吗？STD7ANM60N正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和5A的强劲电流处理能力，核心采用先进的MDmesh II技术，能显著降低导通和开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它专为汽车级(AEC-Q101)和工业级严苛应用而设计，最高结温可达150°C，确保在恶劣环境下依然稳定可靠。其优化的栅极电荷和输入电容，让您的驱动电路设计更简单，开关速度更快。选择STD7ANM60N，就是为您的产品选择了一颗强劲、耐用且易于驾驭的“动力心脏”，轻松应对各种高压功率转换挑战。