STD7N52K3

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下稳定输出、同时保持低损耗的功率开关而反复权衡？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体SuperMESH3家族中的高性能成员STD7N52K3。这颗N沟道MOSFET以其高达525V的漏源电压和6A的连续漏极电流能力，为您的高压应用筑起坚实的性能基石。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键赋能者。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或照明镇流器设计中，STD7N52K3能够轻松应对严苛的电压应力。其卓越的SuperMESH3技术，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的完美平衡，在10V驱动电压下，导通电阻低至980毫欧，而栅极电荷仅34nC。这意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，直接转化为更高的系统效率和更小的热设计压力，让您的设备在满负荷运行时依然冷静从容，将90W的功率耗散能力发挥到极致。

选择STD7N52K3，就是选择了一份经得起时间考验的可靠性。它采用坚固的DPAK表面贴装封装，适应自动化生产，提升制造效率。高达150°C的结温工作范围，确保了在恶劣环境下的稳定运行。当您需要为现有产品进行维护或为经典设计寻找可靠延续时，通过值得信赖的ST芯片代理获取此型号，是保障供应链稳定与产品品质的不二之选。它承载着意法半导体的尖端工艺与品质承诺，是助力您的产品在市场中脱颖而出的隐形冠军。

• 型号:STD7N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:980 毫欧 @ 3.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:737 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD7N52K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在为高压电源转换寻找一颗既强韧又高效的“心脏”吗？STD7N52K3正是为您而来。这颗来自ST意法半导体SuperMESH3系列的N沟道MOSFET，拥有525V的高耐压和6A的电流处理能力，能轻松担当起开关电源、LED驱动及电机控制中的核心开关角色。

它的核心价值在于卓越的能效表现。通过优化的技术，它在提供低至980毫欧导通电阻的同时，保持了极低的栅极电荷。这意味着它能显著降低导通与开关损耗，让您的系统运行更高效、发热更少，直接提升终端产品的可靠性与能效等级。其DPAK封装和宽温度范围支持，让您的设计更紧凑、更稳健。