STD7N65M2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD7N65M2技术参数详情：

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？让我们为您介绍一个可靠的解决方案STD7N65M2。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其650V的高耐压和5A的连续漏极电流能力，为您的高压开关应用带来了性能与可靠性的双重飞跃。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体效率、实现设计精简化的得力助手。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是照明镇流器中，STD7N65M2能够轻松应对频繁的高压开关动作。其核心采用的MDmesh技术，是ST的明星工艺，它显著优化了导通电阻与栅极电荷的平衡。这意味着在相同的条件下，它能以更低的导通损耗和更快的开关速度工作，直接转化为更低的温升和更高的能源转换效率。无论是面对工业电机驱动中的苛刻环境，还是家用电器待机功耗的严苛要求，它都能游刃有余，确保系统稳定、安静且持久地运行。

选择STD7N65M2，就是选择了一份经得起验证的品质与性能保障。其1.15欧姆的低导通电阻（@10V, 2.5A）和仅9nC的低栅极电荷，让驱动电路设计更为简单，有效降低了开关过程中的能量损失。表面贴装的DPAK封装不仅节省了宝贵的PCB空间，其高达60W的功率耗散能力也确保了出色的散热表现。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它应对极端温度变化的强大韧性。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，可以随时联系我们的ST代理商，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STD7N65M2成为您下一个成功产品的强大心脏，开启高效节能的新篇章。

型号:STD7N65M2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:60W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为高压开关应用的效率瓶颈而烦恼吗？STD7N65M2正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和5A的强大电流处理能力，旨在让您的电源设计如虎添翼。

它能为您做什么？核心在于其卓越的性能平衡：低至1.15欧姆的导通电阻配合极低的栅极电荷，让开关过程既快速又高效，显著降低导通与开关损耗。这意味着您的系统能以更低的温升实现更高的功率密度和能效，轻松满足日益严格的能效标准。无论是开关电源、电机驱动还是照明应用，它都能让您的产品运行更稳定、更节能、更具市场竞争力。