STD7N80K5

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时还要严格控制成本和空间时，您是否曾为寻找一颗性能与可靠性兼备的功率开关器件而困扰？现在，答案就在眼前。来自ST意法半导体SuperMESH5家族的STD7N80K5，正是为应对此类挑战而生的高性能N沟道MOSFET。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、实现设计目标的强大引擎。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的平衡艺术。它拥有高达800V的漏源击穿电压，为您的离线式开关电源、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动应用提供了坚固的安全边际，有效抵御电网波动和感性负载带来的电压尖峰。同时，其1.2欧姆的低导通电阻（Rds(on)）意味着在导通状态下，能量损耗被显著降低，这不仅直接提升了系统的整体能效，更能减少散热需求，让您的产品运行更凉爽、更安静。想象一下，在紧凑的适配器、LED驱动电源或家用电器中，STD7N80K5能够以更小的温升处理更大的功率，从而让您的设计更加精简可靠。

其应用场景广泛而深入。无论是需要高可靠性的工业电源、服务器电源，还是追求高功率密度和效率的消费类快充产品，它都能游刃有余。得益于优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），它能实现快速的开关切换，减少开关损耗，这对于高频工作的现代开关电源至关重要，让您的产品轻松满足日益严格的能效标准。选择STD7N80K5，就是选择了一份由ST意法半导体先进SuperMESH5技术背书的质量承诺。其坚固的DPAK封装确保了出色的功率耗散能力（高达110W），表面贴装设计则顺应了自动化生产的潮流。当您需要可靠的原厂正品供应与技术支持时，可以随时联系专业的ST代理商，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。这颗芯片以其强大的性能、出色的能效和ST品牌的高可靠性，成为您在高压功率应用领域中值得信赖的伙伴，助您轻松打造出更高效、更紧凑、更具市场吸引力的下一代产品。

• 型号:STD7N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD7N80K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

在追求极致能效与可靠性的道路上，您是否渴望一颗能同时驾驭高压与高效率的功率核心？STD7N80K5正是为此而来。这颗基于先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的高耐压和仅1.2欧姆的低导通电阻，能显著降低开关电源、电机驱动或PFC电路中的导通损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。

它不仅仅降低了能耗，更通过优化的动态参数（如低栅极电荷）提升了开关速度，有效减少开关损耗，让您轻松应对高频设计挑战，满足严苛的能效法规。其坚固的DPAK封装确保了出色的散热能力，结合-55°C至150°C的宽工作结温范围，为您在各种环境下的稳定运行保驾护航。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的心脏。