STD7NK40ZT4

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源转换方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗集高性能与高可靠性于一身的功率器件，如何能成为您产品脱颖而出的秘密武器。这正是STD7NK40ZT4诞生的初衷它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体SuperMESH技术家族中的一颗明星，旨在为您的设计注入强劲动力。

当您面对需要处理400V高压、承载数安培电流的开关电源、电机驱动或照明镇流器时，传统的解决方案往往在效率和温升之间难以两全。而STD7NK40ZT4凭借其仅为1欧姆的超低导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压下就能实现高效导通，显著降低了导通损耗，让能量更顺畅地传递，热量更少地产生。这意味着您的系统可以运行得更凉爽、更持久，直接提升了终端产品的可靠性和使用寿命。无论是工业自动化设备中要求严苛的电机控制，还是消费类电子产品中追求轻薄高效的适配器，这颗芯片都能游刃有余。

选择STD7NK40ZT4，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。其坚固的DPAK封装不仅适合自动化表面贴装生产，提升您的制造效率，更能确保在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，应对各种恶劣环境。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关速度更快，驱动更轻松，进一步优化了整体系统的开关性能。我们信赖的合作伙伴，专业的ST代理，能够为您提供从选型支持到稳定供货的全方位服务，确保您的创新想法能够快速、顺利地转化为市场领先的产品。现在就为您的下一个项目配备STD7NK40ZT4，体验它将如何重新定义功率转换的效率和可靠性边界。

• 型号:STD7NK40ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 5.4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD7NK40ZT4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能同时兼顾高压、大电流与高效率的“心脏”吗？STD7NK40ZT4正是为您而来的解决方案。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有400V的漏源电压和5.4A的连续漏极电流能力，其核心魅力在于极低的1欧姆导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更节能。

它不仅仅参数亮眼，更致力于简化您的设计。得益于优化的栅极特性，它能实现快速、干净的开关动作，让您轻松驾驭高频开关场景。无论是打造更小巧的充电器、更可靠的工业电源，还是性能更强的电机控制器，STD7NK40ZT4都能提供坚实可靠的核心开关支持，助您高效实现产品性能的飞跃。