STD7NM50N-1

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？现在，答案就在STD7NM50N-1。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的MDmesh II技术，为您带来颠覆性的性能体验。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品竞争力、实现高效节能目标的得力助手。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器应用中，STD7NM50N-1能够轻松应对高达500V的电压和5A的连续电流。其极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的运行成本。无论是工业自动化设备中的电机控制，还是消费类电子产品的适配器，这颗芯片都能确保系统运行得更冷静、更可靠，让您的产品在市场中脱颖而出。

选择STD7NM50N-1，就是选择了一份来自行业巨头的品质保证。ST意法半导体的MDmesh II技术经过市场长期验证，确保了器件在高压、高频开关下的优异表现和长久稳定性。其通孔IPAK封装不仅提供了坚固的机械结构，也便于焊接和散热管理。虽然该型号已进入停产状态，但对于许多现有成熟设计和需要可靠备货的项目而言，它依然是经久耐用的经典之选。如需获取库存或技术支持，您可以联系专业的ST代理商，他们能为您提供全面的供应链支持与专业服务。让STD7NM50N-1成为您可靠设计中的核心动力，开启高效节能的新篇章。

• 型号:STD7NM50N-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:780 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 现在可以订购STD7NM50N-1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的高压开关解决方案吗？STD7NM50N-1正是为您而来。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的耐压和5A的电流处理能力，让您在设计开关电源、电机驱动或PFC电路时，能够显著降低导通损耗，提升整体能效。

它具备低至780毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷，这意味着更快的开关速度和更低的发热量，让您的系统运行更高效、更凉爽。其坚固的IPAK通孔封装和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），确保了在各种严苛环境下的稳定性和长寿命，是您构建耐用、高效电力电子系统的理想基石。