STD7NM60N

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，工程师们是否常常面临这样的挑战：如何在紧凑的空间内实现强大的功率处理，同时确保系统的长期稳定运行？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STD7NM60N。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压能力和5A的连续漏极电流，为您打开了高效功率转换的新大门。它不仅仅是又一个元器件，更是您提升产品性能、降低系统复杂性的得力助手。

想象一下，在您设计的开关电源、电机驱动或照明镇流器中，STD7NM60N正发挥着核心作用。它基于先进的MDmesh II技术，这意味着其内部结构经过精心优化，能够显著降低导通损耗和开关损耗。当电流流过时，其低至900毫欧的导通电阻（Rds(on)）意味着更少的热量产生，更高的能源利用率。无论是面对工业自动化设备中频繁启停的电机，还是家用电器中需要安静高效运行的电源，这颗芯片都能游刃有余，确保能量以最经济的方式传递。

选择STD7NM60N，就是选择了一份安心与前瞻性。其高达150°C的结温（TJ）和45W的功率耗散能力，赋予了产品出色的热稳定性和过载承受力，即使在严苛环境下也能持续可靠工作。表面贴装（DPAK）的封装形式，不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，大幅提升您的制造效率。当您需要稳定可靠的供货与技术支援时，我们的ST代理团队始终是您坚实的后盾。从原型设计到批量生产，STD7NM60N以其卓越的性能和价值，将成为您打造下一代高竞争力产品的秘密武器，让您的设计在市场中脱颖而出。

• 型号:STD7NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:363 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD7NM60N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关芯片吗？STD7NM60N正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有600V的漏源电压和5A的连续电流处理能力，基于ST引以为傲的MDmesh II技术，它能显著降低导通与开关损耗，让您的电源或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅是一个开关。低至900毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷（14nC @10V），意味着它能帮助您轻松提升系统能效，减少热量积累。同时，其坚固的DPAK封装和高达150°C的工作结温，确保了在 demanding 应用环境下的长期稳定。选择它，就是为您的产品注入了强劲而可靠的心脏。