STD80N10F7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD80N10F7技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的电力转换世界里，您是否还在为功率器件的性能瓶颈而妥协？想象一下，一个能同时驾驭高达70A电流与100V电压的开关核心，其导通电阻却低至惊人的10毫欧，这不仅仅是参数的提升，更是系统效率与设计自由度的革命。今天，我们向您隆重介绍意法半导体的新一代功率开关解决方案STD80N10F7，它将用卓越的性能，重新定义您对中高压功率MOSFET的期待。

这款基于先进STripFET VII与DeepGATE技术的N沟道MOSFET，天生就是为高效能应用而打造。其极低的Rds(on)意味着在开关过程中更少的能量以热的形式耗散，直接转化为更低的系统温升和更高的整体效率。无论是驱动无刷直流电机时所需的强劲瞬间电流，还是在服务器电源或工业电源中进行高频DC-DC转换，STD80N10F7都能提供稳定、高效的功率开关性能，确保您的设备在严苛环境下依然动力澎湃，运行如飞。其宽广的-55°C至175°C结温工作范围，更是为户外设备、汽车应用等极端环境提供了坚实的可靠性保障。

选择STD80N10F7，您选择的不仅仅是一颗MOSFET，更是一个经过市场验证的、能显著提升产品竞争力的完整价值方案。它让您的设计可以更加紧凑，因为出色的热性能（85W耗散功率）允许更小的散热设计；它让您的系统响应更快，因为优化的栅极电荷（Qg）确保了快速的开关速度。当您需要将如此卓越的芯片集成到您的下一代产品中时，可以信赖专业的ST代理商，他们能提供从技术选型到供应链支持的全方位服务。立即采用STD80N10F7，释放您设计的全部潜能，在能效竞赛中领先一步！

型号:STD80N10F7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:85W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找那颗能同时满足高效率、高可靠性与易驱动需求的功率开关吗？STD80N10F7正是您的理想之选。这颗来自意法半导体的100V/70A N沟道MOSFET，凭借其标志性的STripFET VII技术，将导通电阻（Rds(on)）降至仅10毫欧，能显著降低开关损耗和发热，让您的电源或电机驱动方案轻松实现更高的能效等级。

它拥有优化的栅极特性，仅需10V驱动电压，栅极电荷（Qg）低至45nC，让您的驱动电路设计更简单，开关速度更快，系统响应更迅捷。无论是用于工业电源、电机控制、DC-DC转换器还是电池管理，STD80N10F7都能提供稳定强劲的功率处理能力，其坚固的DPAK封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保它在各种挑战性环境中都能可靠运行，助您打造出性能出众且耐久的产品。