STD80N4F6

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能够在40V电压下承载80A连续电流的功率开关，其导通电阻低至惊人的6毫欧，这不仅仅是参数的提升，更是系统能效的飞跃。今天，我们向您隆重介绍意法半导体旗下的明星产品STD80N4F6，它将用卓越的性能，重新定义您对功率密度的认知。

这颗采用先进STripFET VI和DeepGATE技术的N沟道MOSFET，专为应对严苛挑战而生。其极低的Rds(on)意味着在开关过程中产生的热量更少，让您的电源模块、电机驱动或DC-DC转换器运行得更凉爽、更安静。无论是新能源汽车的OBC（车载充电器）中需要高效电能转换，还是工业伺服驱动器里要求精准快速的功率控制，STD80N4F6都能游刃有余。它那高达175°C的结温工作范围和符合AEC-Q101的车规级品质，确保了即使在发动机舱旁或持续高负载的工业环境下，依然稳定可靠，寿命长久。

选择STD80N4F6，就是选择了一份从容与信心。它不仅仅降低了您的系统热设计难度，节省了散热空间与成本，更通过优异的开关特性（如低栅极电荷Qg）提升了整体开关频率，让您的产品设计可以朝着更小型化、更轻量化的方向迈进。当您需要构建一个高效、紧凑且坚固的功率系统时，这颗芯片就是那块最关键的基石。我们作为值得信赖的ST授权代理，不仅为您提供原装正品保障，更能带来专业的技术支持，帮助您将STD80N4F6的澎湃性能，完美转化为您产品的核心竞争力。

• 型号:STD80N4F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？STD80N4F6正是为您而来的解决方案。它集成了意法半导体先进的STripFET VI技术，在40V/80A的规格下，实现了仅6毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关损耗和发热，让您的电源设计效率更高、运行更凉爽。

这颗芯片能轻松驾驭电机驱动、电源转换、负载开关等应用。其优化的栅极电荷和电容特性，让开关速度更快，响应更迅捷，助您提升系统整体性能。同时，其坚固的DPAK封装和宽广的工作温度范围（-55°C至175°C），确保了在严苛环境下的长期可靠性。选择它，就是为您的产品注入一颗高效、可靠的“动力心脏”。