STD85N3LH5

在追求极致效率的电源与电机控制领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够在高电流下保持超低导通电阻的功率器件，将如何彻底改变您的设计。现在，答案就在眼前STD85N3LH5，这颗源自ST意法半导体STripFET V家族的N沟道MOSFET，正是为高性能、高可靠性应用而生的能量控制大师。

它不仅仅是一个简单的开关。凭借高达80A的连续漏极电流承载能力和低至5毫欧的导通电阻（在10V驱动下），STD85N3LH5能够显著降低导通损耗，将更多电能高效地输送到负载，而非浪费在发热上。这意味着您的电源模块、电机驱动板或DC-DC转换器可以运行得更凉爽、更安静，同时整体效率得到大幅提升。其优化的栅极电荷和输入电容特性，确保了快速、干净的开关动作，进一步减少了开关损耗，让系统在高速运行时依然稳定可靠。

这种卓越的性能，使其成为众多严苛应用的理想心脏。无论是需要强劲动力和精准控制的电动工具、园林设备，还是对空间和效率有极致要求的服务器电源、车载充电器(OBC)，亦或是工业自动化中的电机驱动和电源分配单元，STD85N3LH5都能游刃有余。它帮助工程师突破设计瓶颈，打造出体积更小、功率密度更高、续航更长的下一代产品。选择它，就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。

为何众多领先企业信赖并选择STD85N3LH5？因为它代表了ST在功率半导体领域深厚的技术积淀。其坚固的DPAK封装和高达175°C的结温工作能力，提供了强大的鲁棒性和散热潜力，确保在恶劣环境下长久稳定运行。虽然该型号已处于停产状态，但其卓越的设计和性能在特定应用和库存市场中依然闪耀着价值。对于寻求可靠、高性能解决方案的工程师而言，通过正规的ST授权代理渠道获取，依然是保障产品品质与供应链安全的关键一步。让STD85N3LH5成为您释放产品潜能、赢得市场竞争的秘密武器。

• 型号:STD85N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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您正在寻找一颗能扛起高电流重任，同时又能将能量损耗降到最低的功率开关吗？STD85N3LH5正是您的答案。这颗30V/80A的N沟道MOSFET，凭借其STripFET V技术的加持，能为您提供低至5毫欧的超低导通电阻，让大电流通过时的压降和发热显著减少，从而轻松提升整个电源或驱动系统的效率。

它能让您的设计更高效、更紧凑。极低的栅极电荷和优化的开关特性，意味着您可以实现更快的开关频率，减少开关损耗，这对于追求高频高效的现代开关电源和电机驱动至关重要。其坚固的DPAK封装和出色的热性能，确保它在高功率应用中稳定可靠，助您从容应对各种挑战。