STD90N02L-1

在追求极致效率的电源管理和电机驱动设计中，您是否还在为寻找一款能在高电流下保持低损耗、响应迅速且稳定可靠的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STD90N02L-1。这款来自意法半导体STripFET III家族的N沟道MOSFET，以其高达60A的连续漏极电流和仅为6毫欧的超低导通电阻，重新定义了25V应用场景下的性能标杆。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品整体能效、降低发热并实现更紧凑设计的秘密武器。

想象一下，在您的同步整流DC-DC转换器中，STD90N02L-1能够以极低的导通损耗处理大电流，直接将更多电能输送给负载，而非转化为无用的热量。在电动工具、无人机电调或服务器电源的电机驱动电路中，其快速的开关特性和高达175°C的结温工作能力，确保了系统即使在严苛环境下也能持续稳定输出强劲动力。无论是用于高效率的负载开关，还是作为电池保护电路中的关键元件，它都能游刃有余，让您的终端产品在竞争中脱颖而出，赢得用户对持久续航和可靠性能的信任。

选择STD90N02L-1，就是选择了一份经过验证的卓越与安心。其IPAK通孔封装不仅提供了优异的散热性能和机械强度，也便于在原型设计和批量生产中进行焊接与测试。尽管该型号已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用口碑，使其在特定存量项目和备货市场中依然极具价值。对于正在寻找可靠库存或替代方案的工程师，联系一家资深的ST芯片代理至关重要，他们能为您提供专业的供应链支持与器件选型建议。让这颗凝聚了ST尖端STripFET III技术的MOSFET，成为您打造下一代高效、可靠电力电子产品的坚实基石。

• 型号:STD90N02L-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 60A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 现在可以订购STD90N02L-1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在设计需要处理高达60A电流的电源或电机驱动方案吗？STD90N02L-1正是为您而来的高效功率开关。它利用先进的STripFET III技术，实现了惊人的6毫欧超低导通电阻（@10V），这意味着在大电流通过时，它能将能量损耗降至极低，让您的系统运行更凉爽、效率更高，直接帮助延长电池续航或降低散热成本。

这颗MOSFET拥有25V的漏源电压和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，让您能轻松应对严苛的工业环境与瞬态冲击。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关行为，让您的电路设计在追求高频高效时更加得心应手。选择它，就是为您的产品注入了强劲而可靠的心脏。