STD90N4F3

在追求极致能效的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够承载80A大电流，同时将导通电阻降至极低水平的功率MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局。现在，答案就在STD90N4F3。这款来自ST意法半导体STripFET III家族的明星产品，以其卓越的性能，正成为工程师们应对高功率密度挑战的可靠伙伴。

当您需要为服务器电源、工业电机驱动器或高功率DC-DC转换器寻找一颗“心脏”时，STD90N4F3的价值便展露无遗。其40V的漏源电压和高达80A的连续漏极电流能力，为系统提供了坚实的功率基础。更关键的是，在10V驱动电压下，仅6.5毫欧的超低导通电阻，意味着在传导过程中产生的热量被大幅削减，直接提升了整机效率并简化了散热设计。无论是面对严苛的工业环境，还是追求轻薄紧凑的消费类产品，它都能游刃有余。

选择STD90N4F3，就是选择了一种经过市场验证的高可靠性解决方案。其采用的先进STripFET III技术，在开关速度和导通损耗之间取得了精妙平衡，54nC的低栅极电荷确保了快速开关特性，有助于减少开关损耗，进一步提升系统频率和功率密度。表面贴装的DPAK封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，也便于自动化生产。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用口碑，使其在特定存量市场和备件领域依然极具价值。为确保您能稳定获取这颗经典器件，我们建议您通过值得信赖的ST芯片代理进行咨询和采购，以获得正品保障与供应链支持。

从提升能效到优化空间，从增强可靠性到简化设计，STD90N4F3所代表的不仅仅是一个元件，更是一种助力您的产品在竞争中脱颖而出的性能承诺。让它成为您下一个成功设计中的强大引擎。

• 型号:STD90N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD90N4F3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否正在寻找一颗能同时驾驭高电流与高效率的功率开关？STD90N4F3正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有40V耐压和高达80A的电流处理能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻在10V驱动下仅6.5毫欧，能显著降低传导损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用ST先进的STripFET III技术，具备快速开关特性（栅极电荷仅54nC）和宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）。这意味着它能让您轻松应对高频率开关需求，并在恶劣环境下稳定工作。无论是用于提升工业设备的能效，还是优化消费电子的功率密度，它都是值得您信赖的强力核心。