STD90NS3LLH7

在追求极致效率的电源管理设计中，您是否曾为寻找一款能在紧凑空间内承载大电流、同时保持低温运行的功率开关而困扰？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STD90NS3LLH7。这款来自ST意法半导体STripFET H7系列的N沟道MOSFET，以其仅3.4毫欧的超低导通电阻和高达80A的连续漏极电流，重新定义了30V应用场景下的性能标杆。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、高性能DC-DC转换器或电动工具的动力系统中，能量损耗每降低一分，产品的续航、稳定性和市场吸引力就增强一分。STD90NS3LLH7正是为此而生。其先进的STripFET H7技术确保了极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，整体效率显著提升。无论是应对汽车辅助系统中的突发负载，还是工业电机驱动的严苛环境，它都能凭借-55°C至150°C的宽广工作结温范围和集成的体肖特基二极管，提供稳定可靠的保护，大幅延长设备寿命。

选择STD90NS3LLH7，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。尽管该型号已停产，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其成为特定高端或存量项目升级的绝佳之选。通过专业的ST中国代理渠道，您依然可以获取可靠的货源与全面的技术支持，确保您的设计无缝衔接，项目顺利推进。让这颗凝聚尖端技术的功率器件，成为您打造下一代高效、紧凑、可靠电子产品的秘密武器，助您在激烈的市场竞争中率先冲线。

• 型号:STD90NS3LLH7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.4 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2110 pF @ 25 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:57W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD90NS3LLH7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在设计需要处理大电流的紧凑型电源或电机驱动方案吗？STD90NS3LLH7 N沟道MOSFET正是为您实现这一目标的强大核心。它能在30V电压下轻松驾驭高达80A的连续电流，而其惊人的3.4毫欧超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。

这颗芯片能为您做什么？它凭借快速的开关特性（低栅极电荷）和集成的体二极管，让您轻松构建出响应迅捷、可靠性强的同步整流、电机控制或负载开关电路。其DPAK封装兼顾了功率处理能力与空间节省，是提升功率密度的理想选择。选择它，就是为您的产品注入了高效与稳定的基因。