STD95N04

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高电流下保持低损耗、同时具备出色热管理能力的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经久考验的解决方案STD95N04。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其高达80A的连续漏极电流和仅6.5毫欧的超低导通电阻，为您的系统注入强劲而高效的动力核心。它不仅仅是一个开关，更是提升整机效率、降低温升、确保长期可靠运行的关键所在。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，电流如洪流般通过。STD95N04正是为应对此类严苛场景而生。其40V的漏源电压和STripFET技术，确保了在频繁开关和高压摆率下的稳定表现。无论是处理突发负载，还是在-55°C至175°C的宽广结温范围内持续工作，它都能游刃有余，让您的电源模块或电机控制器在复杂工况下依然保持冷静与高效。选择它，就是为您的产品选择了一份从容应对高功率挑战的底气。

那么，在众多功率器件中，为何独独青睐STD95N04？答案在于其卓越的价值平衡。极低的Qg（栅极电荷）和Ciss（输入电容）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统频率可以更高，动态响应更迅捷。DPAK封装兼顾了功率处理能力与PCB空间利用率，表面贴装设计简化了生产流程。虽然该型号已停产，但其成熟的设计和可靠的性能记录，使其成为许多经典或特定需求项目升级、维护的优选。通过值得信赖的ST代理渠道，您依然可以获取这款性能标杆产品，为您的设计延续经典，锁定成功。

• 型号:STD95N04
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD95N04，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高电流开关重任的“硬核”芯片吗？STD95N04正是您的理想之选！这颗采用先进STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有80A的强大电流吞吐能力和低至6.5毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它专为严苛环境打造，工作结温高达175°C，确保在高温下稳定运行。同时，优化的栅极电荷和电容参数让您轻松实现快速开关，提升系统整体响应速度。无论是升级现有设计还是为高可靠性项目选型，STD95N04都能以卓越的性能，成为您电路中值得信赖的功率开关基石。