STD95N2LH5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STD95N2LH5技术参数详情：

想象一下，当您的电源管理系统需要在极小的空间内处理高达80A的电流时，传统的解决方案是否让您在散热、效率和可靠性之间艰难权衡？今天，我们为您带来一个颠覆性的答案STD95N2LH5。这颗来自ST意法半导体STripFET V家族的N沟道MOSFET，不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力的核心引擎。它采用先进的金属氧化物技术，在仅25V的漏源电压下，能持续承载惊人的80A电流，而导通电阻低至4.5毫欧，这意味着更少的能量以热量的形式浪费，让您的系统运行得更凉、更久、更稳定。

无论是追求极致功率密度的服务器电源，还是需要快速响应的电机驱动，亦或是高可靠性的汽车辅助系统，STD95N2LH5都能游刃有余。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）确保了它在严苛环境下依然表现卓越，而DPAK的表面贴装封装则简化了您的生产流程，节省了宝贵的PCB空间。当您需要构建一个从工业自动化到新能源设备都适用的高效开关解决方案时，这颗芯片就是您最值得信赖的伙伴。我们作为专业的ST一级代理，不仅提供原装正品，更能为您提供深度的技术支持和选型指导。

选择STD95N2LH5，就是选择了一份从容与高效。它极低的栅极电荷（仅13.4nC）和优化的驱动电压（5V/10V），让您的控制电路设计变得异常简单，轻松实现高速开关，显著提升整体系统频率和响应速度。这意味着您的终端产品将拥有更快的处理能力、更高的能效转换率，从而在市场上脱颖而出。别再为功率器件的性能瓶颈而妥协，立即拥抱STD95N2LH5，让它成为您下一个成功项目的强大心脏，驱动无限可能。

型号:STD95N2LH5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:DPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 25V 80A DPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 5 V
Vgs（最大值）:±22V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1817 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:70W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK
封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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您正在寻找一颗能在大电流应用中同时兼顾高效率与高可靠性的功率开关吗？STD95N2LH5正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有80A的连续漏极电流能力和低至4.5毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、能效更高。

它采用ST先进的STripFET V技术，在5V或10V的低驱动电压下即可实现优异性能，搭配极低的栅极电荷，让您轻松设计高速开关电路，提升系统响应速度。其坚固的DPAK封装和-55°C至175°C的宽工作温度范围，确保了它在各种挑战性环境下的稳定表现，是您打造高效、紧凑、可靠电力电子方案的理想核心。